1.一種用於將膜特性化之方法,此方法包含: 提供至少一個代表膜之至少一種成分濃度之量測光譜峰形,其中此膜係藉一組處理條件界定之特定方法形成於基材上; 提供欲特性化之另外之膜之已獲得光譜,其中此另外之膜係藉一組處理條件界定之特定方法形成於基材上; 比較至少一個量測光譜峰形與已獲得之光譜;及 基於此比較測定欲特性化之膜之至少一個厚度測量。 2.根據申請專利範圍第1項之方法,其中此方法進一步包含對已獲得之光譜計算至少一個光譜背景,及其中該比較至少一個量測光譜峰形與已獲得之光譜包含將至少一個量測光譜峰形與光譜背景與已獲得之光譜比較。 3.根據申請專利範圍第1項之方法,其中提供至少一個量測光譜峰形,其包含: 提供代表膜中至少一種成分之濃度之量測光譜峰形;及 提供至少另一個代表至少一部份基材中至少一種成分濃度之另一個量測光譜峰形。 4.根據申請專利範圍第3項之方法,其中已獲得之光譜包含代表另外之膜中至少一種成分及至少一部份基材中至少一種成分之濃度之重疊峰區域,及其中將至少一個量測光譜峰形與光譜背景比較已獲得之光譜包含使用由已獲得之光譜計算之光譜背景,將已獲得之光譜代入代表膜中至少一種成分之濃度之量測光譜峰形、及至少一個代表至少一部份基材中至少一種成分濃度之另一種量測光譜峰形,以自重疊峰區域取得分別之已獲得之光譜峰區域,其中分別之已獲得之光譜峰區域之一代表另外之膜中至少一種成分之濃度,及另一個分別之已獲得之光譜峰區域代表至少一部份基材中至少一種成分之濃度。 5.根據申請專利範圍第1項之方法,其中提供至少一個量測光譜峰形包含提供代表膜中矽濃度之量測光譜峰形、及提供至少一個代表至少一部份基材中矽濃度之另一個量測光譜峰形,其中已獲得之光譜包含代表另外之膜中及至少一部份基材中之矽濃度之重疊峰區域,及其中將至少一個量測光譜峰形比較已獲得之光譜包含使用由已獲得之光譜計算之光譜背景,將已獲得之光譜代入代表膜中矽濃度之量測光譜峰形、及至少一個代表至少一部份基材中矽濃度之另一個量測光譜峰形,以自重疊峰區域取得分別之已獲得之光譜區域,其中分別之已獲得之光譜峰區域之一代表另外之膜中之矽濃度,及另一個分別之已獲得之光譜峰區域代表至少一部份基材中之矽濃度。 6.根據申請專利範圍第5項之方法,其中此方法包含在各將已獲得之光譜代入量測光譜峰形及至少另一個量測光譜峰形之循環時,計算光譜背景。 7.根據申請專利範圍第5項之方法,其中膜及另外之膜包含至少矽、氧與氮,及其中此方法包含以下之步驟: 至少基於厚度測量及代表另外之膜中氮之另外之已獲得光譜,測定另外之膜中之氮濃度; 測定橫越另外之膜之氮濃度之均勻性程度;及 基於氮濃度偵測伴隨特定方法之方法偏離。 8.根據申請專利範圍第1-7項中任一項之方法,其中提供至少一個量測光譜峰形包含: 提供膜之高解析度光譜; 自高解析度光譜消除光譜背景; 分離至少一個代表膜之至少一種成分濃度之窄量測光譜峰形、及至少另一個代表至少一部份基材中至少一種成分之濃度之窄量測光譜峰形;及 對此至少一個窄量測光譜峰形及此至少另一個窄量測光譜峰形施加加寬功能,以符合已獲得之光譜之解析度。 9.根據申請專利範圍第1-7項中任一項之方法,其中此方法進一步包含至少基於厚度測量測定另外之膜之成分濃度,或在橫越另外之膜之多個位置重複另外之膜之成分濃度之測定,以用於測定橫越另外之膜之成分濃度之均勻性程度。 10.根據申請專利範圍第1-7項中任一項之方法,其中此方法進一步包含橫越另外之膜之多個位置重複厚度測量,以用於測定橫越另外之膜之厚度之均勻性程度。 11.根據申請專利範圍第1-7項中任一項之方法,其中此方法進一步包含基於厚度測量偵測伴隨特定方法之方法偏離。 12.根據申請專利範圍第1-7項中任一項之方法,其中提供至少一個代表膜之至少一種成分濃度之量測光譜峰形、及提供欲特性化之另外之膜之已獲得光譜包含使用特定組之參數對膜及另外之膜實行一或多種表面光譜測量,其中提供表面光譜測量包含: 以x-射線照射另外之膜造成光電子散逸; 偵測散逸之光電子,其中偵測散逸之光電子包含: 提供一種分析儀,其包含接收光電子之輸入透鏡,此輸入透鏡具有穿越延伸之中央軸;及 安置輸入透鏡使得輸入透鏡之中央軸為相對另外之膜表面之分析儀角度,其中分析儀角度為約45度至約90度之範圍;及 產生代表偵測之光電子之信號,其中表面光譜測量係基於產生之信號。 13.根據申請專利範圍第1-7項中任一項之方法,其中以x-射線照射另外之膜包含以得自小於2000電子伏特之低能量x-射線來源之x-射線照射另外之膜。 14.根據申請專利範圍第1-7項中任一項之方法,其中膜及另外之膜各包含介電膜,及其中膜及另外之膜各包含具小於約10奈米之厚度之薄膜。 15.根據申請專利範圍第1-7項中任一項之方法,其中膜及另外之膜各包含具小於約4奈米之厚度之薄膜。 16.根據申請專利範圍第1-7項中任一項之方法,其中膜及另外之膜各包含形成於含矽之基材上,包含矽、氧與氮之膜,及其中至少一個量測光譜峰形代表矽之濃度。 17.一種用於將膜特性化之系統,其中此系統包含: x-射線來源,其可操作以x-射線照射一或多個膜而造成光電子散逸; 分析儀,其可操作以偵測散逸之光電子,其中分析儀係操作以產生代表已偵測光電子之信號而用於提供一或多個膜之已獲得光譜;及 電腦裝置,其可操作以: 辨識至少一個代表膜中至少一種成分濃度之量測光譜峰形,其中此膜係藉一組處理條件界定之特定方法形成於基材上; 辨識欲特性化之另外之膜,其中此另外之膜係藉一組處理條件界定之特定方法形成於基材上; 比較至少一個量測光譜峰形與已獲得之光譜;及 基於此比較而測定至少一個厚度測量。 18.根據申請專利範圍第17項之系統,其中電腦裝置進一步可操作以計算已獲得之光譜之至少一個光譜背景,及其中電腦裝置可操作以將至少一個量測光譜峰形與光譜背景比較已獲得之光譜。 19.根據申請專利範圍第17項之系統,其中電腦裝置進一步可操作以辨識代表膜中至少一種成分濃度之量測光譜峰形、及至少另一個代表至少一部份基材中至少一種成分濃度之量測光譜峰形。 20.根據申請專利範圍第19項之系統,其中已獲得之光譜包含代表另外之膜中至少一種成分及至少一部份基材中至少一種成分之濃度之重疊峰區域,及其中電腦裝置進一步可操作以藉由使用由已獲得之光譜計算之光譜背景,將已獲得之光譜代入代表膜中至少一種成分之濃度之量測光譜峰形、及至少一個代表至少一部份基材中至少一種成分濃度之另一個量測光譜峰形,而比較至少一個量測光譜峰形與已獲得之光譜,以自重疊峰區域取得分別之已獲得之光譜峰區域,其中分別之已獲得之光譜峰區域之一代表另外之膜中至少一種成分之濃度,及另一個分別之已獲得之光譜峰區域代表至少一部份基材中至少一種成分之濃度。 21.根據申請專利範圍第19項之系統,其中電腦裝置進一步可如下操作以提供代表膜中至少一種成分之濃度之量測光譜峰形、及至少另一個代表至少一部份基材中至少一種成分之濃度之量測光譜峰形: 辨識藉一組處理條件界定之特定方法形成於基材上之膜之高解析度光譜; 自高解析度光譜消除光譜背景; 分離至少一個代表膜之至少一種成分濃度之窄量測光譜峰形、及至少另一個代表至少一部份基材中至少一種成分之濃度之窄量測光譜峰形;及 對此至少一個窄量測光譜峰形及此至少另一個窄量測光譜峰形施加加寬功能,以符合已獲得之光譜之解析度。 22.根據申請專利範圍第17-21項中任一項之系統,其中電腦裝置進一步可操作以基於厚度測量測定另外之膜之成分濃度,或進一步可操作以基於至少厚度測量偵測伴隨特定方法之方法偏離。 23.根據申請專利範圍第17-21項中任一項之系統,其中分析儀包含接收光電子之輸入透鏡,此輸入透鏡具有穿越延伸之中央軸,其中輸入透鏡係安置使得輸入透鏡之中央軸為相對一或多個膜之表面之分析儀角度,其中分析儀角度為約45度至約90度之範圍。 24.根據申請專利範圍第17-21項中任一項之系統,其中x-射線來源為小於2000電子伏特之低能量x-射線來源。 25.根據申請專利範圍第17-21項中任一項之系統,其中另外之膜至少包含矽與氧且形成於含矽基材上,其中已獲得之光譜包含代表另外之膜中及至少一部份基材中矽濃度之重疊峰區域,及其中電腦裝置可操作以: 辨識代表膜中矽濃度之量測光譜峰形,其中此膜包含至少矽與氧且形成於含矽基材上; 辨識代表至少一部份基材中矽濃度之至少另一個量測光譜峰形;及 計算已獲得之光譜之至少一個光譜背景。 26.根據申請專利範圍第17-21項中任一項之系統,其中膜及另外之膜包含至少矽、氧與氮,及其中電腦裝置進一步可操作以至少基於厚度測量及代表另外之膜中之氮之另外之已獲得光譜測定另外之膜中之氮濃度,或可操作以辨識橫越另外之膜之多個位置之另外之膜中氮濃度之測定,以用於測定橫越另外之膜之成分濃度之均勻性程度。 27.根據申請專利範圍第17-21項中任一項之系統,其中電腦裝置進一步可操作以基於氮濃度偵測伴隨特定方法之方法偏離。 28.一種程式儲存媒體,其為在電腦控制下可藉媒體讀取裝置讀取,使程式可明確地具體執行而實行薄膜特性化方法,其中此程式可操作以: 辨識至少一個代表膜中至少一種成分濃度之量測光譜峰形,其中此膜係藉一組處理條件界定之特定方法形成於基材上; 辨識欲特性化之另外之膜,其中此另外之膜係藉一組處理條件界定之特定方法形成於基材上; 比較至少一個量測光譜峰形與已獲得之光譜;及 基於此比較而測定另外之膜之至少一個厚度測量。 29.根據申請專利範圍第28項之程式儲存媒體,其中程式進一步可操作以計算已獲得之光譜之至少一個光譜背景,及其中電腦裝置可操作以將至少一個量測光譜峰形與光譜背景比較已獲得之光譜。 30.根據申請專利範圍第28項之程式儲存媒體,其中程式進一步可操作以辨識代表膜中至少一種成分濃度之量測光譜峰形、及代表至少一部份基材中至少一種成分濃度之至少另一個量測光譜峰形,其中已獲得之光譜包含代表另外之膜中至少一種成分及至少一部份基材中至少一種成分之濃度之重疊峰區域,及其中程式可操作以藉由使用由已獲得之光譜計算之光譜背景,將已獲得之光譜代入代表膜中至少一種成分之濃度之量測光譜峰形、及至少一個代表至少一部份基材中至少一種成分濃度之另一個量測光譜峰形,而比較至少一個量測光譜峰形與已獲得之光譜,以自重疊峰區域取得分別之已獲得之光譜峰區域,其中分別之已獲得之光譜峰區域之一代表另外之膜中至少一種成分之濃度,及另一個分別之已獲得之光譜峰區域代表至少一部份基材中至少一種成分之濃度。 31.根據申請專利範圍第30項之程式儲存媒體,其中程式進一步可如下操作以提供代表膜中至少一種成分之濃度之量測光譜峰形、及至少另一個代表至少一部份基材中至少一種成分之濃度之量測光譜峰形: 辨識膜之高解析度光譜; 自高解析度光譜消除光譜背景; 分離至少一個代表膜之至少一種成分濃度之窄量測光譜峰形、及至少另一個代表至少一部份基材中至少一種成分之濃度之窄量測光譜峰形;及 對此至少一個窄量測光譜峰形及此至少另一個窄量測光譜峰形施加加寬功能,以符合已獲得之光譜之解析度。 32.根據申請專利範圍第28-31項中任一項之程式儲存媒體,其中程式進一步可操作以至少基於厚度測量測定另外之膜之成分濃度,或可操作以辨識橫越另外之膜之多個位置之另外之膜中成分濃度之測定,以用於測定橫越另外之膜之成分濃度之均勻性程度。 33.根據申請專利範圍第28-31項中任一項之程式儲存媒體,其中程式進一步可操作以辨識在另外之膜之多個位置之厚度測量之測定,以用於測定橫越另外之膜之厚度之均勻性程度,或基於至少一個厚度測量偵測伴隨特定方法之方法偏離。 34.根據申請專利範圍第28-31項中任一項之程式儲存媒體,其中至少一個量測光譜峰形係代表膜中之矽濃度。 35.一種用於將膜特性化之方法,此方法包含: 提供欲特性化之膜之已獲得之光譜,其中此膜係形成於基材上,及其中提供已獲得之光譜包含提供代表膜中至少一種成分濃度之光譜峰形、及代表至少一部份其上形成膜之基材中至少一種成分濃度之至少一個另外之光譜峰形; 僅由已獲得之光譜取得成分濃度資訊,其中成分濃度資訊包含代表膜中至少一種成分之濃度、及代表至少一部份其上形成膜之基材中至少一種成分之濃度之資訊;及 基於成分濃度資訊測定膜之至少一個厚度測量。 36.根據申請專利範圍第35項之方法,其中此方法進一步包含: 計算已獲得之光譜之光譜背景;及 由已獲得之光譜消除光譜背景。 37.根據申請專利範圍第35項之方法,其中提供代表膜中至少一種成分之濃度之光譜峰形及代表至少一部份其上形成膜之基材中至少一種成分之另外之光譜峰形包含提供代表其之重疊峰區域。 38.根據申請專利範圍第35項之方法,其中由已獲得之光譜取得成分濃度資訊包含取得代表膜中至少一種成分之濃度對代表至少一部份其上形成膜之基材中至少一種成分之濃度之比例。 39.根據申請專利範圍第35項之方法,其中由已獲得之光譜取得成分濃度資訊包含: 將已獲得之光譜累積地積分;及 至少使用積分光譜之幾何性質取得成分濃度資訊。 40.根據申請專利範圍第39項之方法,其中至少使用積分光譜之幾何性質取得成分濃度資訊包含: 在積分光譜之多個位置提供多個正切;及 測定成分濃度資訊如至少正切之函數。 41.根據申請專利範圍第35項之方法,其中已獲得之光譜包含代表膜中及至少一部份基材中之矽濃度之重疊峰區域,其中由已獲得之光譜取得成分濃度資訊包含取得代表膜中之矽濃度對代表至少一部份其上形成膜之基材中之矽濃度之比例,及其中由已獲得之光譜取得成分濃度資訊包括: 將已獲得之光譜累積地積分;及 至少使用積分光譜之幾何性質取得代表膜中至少一種成分之濃度對代表至少一部份其上形成膜之基材中至少一種成分之濃度之比例。 42.根據申請專利範圍第41項之方法,其中至少使用積分光譜之幾何性質取得此比例包含: 在積分光譜之多個位置提供多個正切;及 測定此比例如至少正切之函數。 43.根據申請專利範圍第42項之方法,其中在積分光譜之多個位置提供多個正切包含: 在積分光譜位置提供第一正切,其對應膜中峰矽强度之已獲得光譜之位置; 在積分光譜位置提供第二正切,其對應膜下基材部份中峰矽强度之已獲得光譜之位置;及 在積分光譜位置提供第三正切,其對應膜中峰矽强度與膜下基材部份中之峰矽强度間已獲得光譜之最小强度之谷。 44.根據申請專利範圍第43項之方法,其中此方法進一步包含指出積分光譜之最小値及最大値,及其中測定成分濃度資訊如至少正切之函數包含: 基於積分光譜上第一及第三正切之交叉處與第二及第三正切之交叉處間之位置,測定代表膜中矽强度之値;及 使用代表膜中矽强度之値,測定代表膜下基材部份中矽强度之値,如基於積分光譜之最小値與最大値所測定之總矽强度之函數。 45.根據申請專利範圍第35-44項中任一項之方法,其中此方法進一步包含至少基於厚度測量測定膜之成分濃度,或在橫越膜之多個位置重複膜之成分濃度之測定,以用於測定橫越膜之成分濃度之均勻性程度。 46.根據申請專利範圍第35-44項中任一項之方法,其中此方法進一步包含橫越膜之多個位置重複厚度測量,以用於測定橫越膜之厚度之均勻性程度。 47.根據申請專利範圍第35-44項中任一項之方法,其中此膜係藉一組處理條件界定之特定方法形成於基材上,及其中此方法包含基於至少一個厚度測量偵測伴隨特定方法之方法偏離。 48.根據申請專利範圍第35-44項中任一項之方法,其中提供欲特性化之膜之已獲得光譜包含使用特定組之參數對膜實行一或多種表面光譜測量,其中提供表面光譜測量包含: 以x-射線照射膜造成光電子散逸; 偵測散逸之光電子,其中偵測散逸之光電子包含: 提供一種分析儀,其包含接收光電子之輸入透鏡,此輸入透鏡具有穿越延伸之中央軸;及 安置輸入透鏡使得輸入透鏡之中央軸為相對膜表面之分析儀角度,其中分析儀角度為約45度至約90度之範圍;及 產生代表偵測之光電子之信號,其中表面光譜測量係基於產生之信號。 49.根據申請專利範圍第48項之方法,其中以x-射線照射膜包含以得自小於2000電子伏特之低能量x-射線來源之x-射線照射膜。 50.根據申請專利範圍第35-44項中任一項之方法,其中此膜包含介電膜,及其中此膜包含具小於約10奈米之厚度之薄膜。 51.根據申請專利範圍第35-44項中任一項之方法,其中此膜包含具小於約4奈米之厚度之薄膜。 52.根據申請專利範圍第35-44項中任一項之方法,其中此膜包含形成於含矽基材上之含矽與氧之膜。 53.根據申請專利範圍第35-44項中任一項之方法,其中測定至少一個厚度測量包含測定含矽、氧與氮之膜之厚度測量。 54.根據申請專利範圍第53項之方法,其中此方法進一步包含以下至少之一: 至少基於厚度測量及代表膜中氮之另外之已獲得光譜,測定膜中之氮濃度; 測定橫越膜之含矽、氧與氮之膜之厚度之均勻性程度,或橫越膜之氮濃度之均勻性程度;及 其中此膜係藉一組處理條件界定之特定方法形成於基材上,基於氮濃度偵測伴隨特定方法之方法偏離。 55.一種用於將膜特性化之系統,其中此系統包含: x-射線來源,其可操作以x-射線照射一或多個膜而造成光電子散逸; 分析儀,其可操作以偵測散逸之光電子,其中分析儀係操作以產生代表已偵測光電子之信號而用於提供膜之已獲得光譜;及 電腦裝置,其可操作以: 辨識代表膜中至少一種成分濃度之已獲得光譜之光譜峰形,其中此膜係形成於基材上; 辨識代表至少一部份其上形成膜之基材中至少一種成分濃度之已獲得光譜之至少一個另外之光譜峰形; 僅由已獲得之光譜取得成分濃度資訊,其中成分濃度資訊包含代表膜中至少一種成分之濃度、及代表至少一部份其上形成膜之基材中至少一種成分之濃度之資訊;及 基於成分濃度資訊測定膜之至少一個厚度測量。 56.根據申請專利範圍第55項之系統,其中電腦裝置進一步可操作以: 由已獲得之光譜計算光譜背景;及 由已獲得之光譜消除光譜背景。 57.根據申請專利範圍第55項之系統,其中電腦裝置進一步可操作以辨識重疊峰區域之光譜峰形及另外之光譜峰形。 58.根據申請專利範圍第55項之系統,其中電腦裝置可操作以藉由取得代表膜中至少一種成分之濃度對代表至少一部份其上形成膜之基材中至少一種成分之濃度之比例,而由已獲得之光譜取得成分濃度資訊。 59.根據申請專利範圍第55項之系統,其中電腦裝置可操作以如下由已獲得之光譜取得成分濃度資訊: 將已獲得之光譜累積地積分;及 至少使用積分光譜之幾何性質取得成分濃度資訊。 60.根據申請專利範圍第59項之系統,其中電腦裝置可操作以如下至少使用積分光譜之幾何性質取得成分濃度資訊: 在積分光譜之多個位置提供多個正切;及 測定成分濃度資訊如一或多個正切間至少一或多個交叉處之函數。 61.根據申請專利範圍第60項之系統,其中電腦裝置可操作以如下在積分光譜之多個位置提供多個正切: 在積分光譜位置提供第一正切,其對應膜中峰成分强度之已獲得光譜之位置; 在積分光譜位置提供第二正切,其對應膜下基材部份中峰成分强度之已獲得光譜之位置;及 在積分光譜位置提供第三正切,其對應膜中峰成分强度與膜下基材部份中之峰成分强度間已獲得光譜之最小强度之谷。 62.根據申請專利範圍第61項之系統,其中電腦裝置進一步可操作以指出積分光譜之最小値及最大値,及其中電腦裝置進一步可操作以如下測定成分濃度資訊如一或多個正切間至少一或多個交叉處之函數: 基於積分光譜上第一及第三正切之交叉處與第二及第三正切之交叉處間之位置,測定代表膜中成分强度之値;及 使用代表膜中成分强度之値,測定代表膜下基材部份中成分强度之値,如基於積分光譜之最小値與最大値所測定之總成分强度之函數。 63.根據申請專利範圍第55-62項中任一項之系統,其中電腦裝置進一步可操作以至少基於厚度測量測定膜之成分濃度,或可操作以在橫越膜之多個位置辨識膜之成分濃度之測定,以用於測定橫越膜之成分濃度之均勻性程度。 64.根據申請專利範圍第55-62項中任一項之系統,其中電腦裝置進一步可操作以在膜之多個位置辨識厚度測量之測定,以用於測定橫越膜之厚度之均勻性程度,或其中膜係藉一組處理條件界定之特定方法形成於基材上,電腦裝置可操作以基於至少厚度測量偵測伴隨特定方法之方法偏離。 65.根據申請專利範圍第55-62項中任一項之系統,其中分析儀包含接收光電子之輸入透鏡,此輸入透鏡具有穿越延伸之中央軸,其中輸入透鏡係安置使得輸入透鏡之中央軸為相對膜之表面之分析儀角度,其中分析儀角度為約45度至約90度之範圍。 66.根據申請專利範圍第55-62項中任一項之系統,其中x-射線來源為小於2000電子伏特之低能量x-射線來源。 67.根據申請專利範圍第55-62項中任一項之系統,其中已獲得之光譜包含代表膜中及至少一部份基材中之矽之濃度之重疊峰區域,及其中電腦裝置可操作以藉由至少取得代表膜中矽之濃度與至少一部份其上形成膜之基材中矽之濃度之資訊,而由已獲得之光譜取得成分濃度資訊。 68.一種程式儲存媒體,其為在電腦控制下可藉媒體讀取裝置讀取,使程式可明確地具體執行而實行薄膜特性化方法,其中此程式可操作以: 辨識代表膜中至少一種成分之濃度之光譜峰形,其中此膜係形成於含矽基材上; 辨識代表至少一部份其上形成膜之基材中至少一種成分之濃度之至少一個另外之光譜峰形; 僅由已獲得之光譜取得成分濃度資訊,其中成分濃度資訊代表膜中至少一種成分之濃度、及至少一部份其上形成膜之基材中至少一種成分之濃度;及 基於成分濃度資訊測定膜之至少一個厚度測量。 69.根據申請專利範圍第68項之程式儲存媒體,其中程式進一步可操作以向已獲得之光譜計算光譜背景,及由已獲得之光譜消除光譜背景。 70.根據申請專利範圍第68項之程式儲存媒體,其中程式進一步可操作以至少如下由已獲得之光譜取得成分濃度資訊: 將已獲得之光譜累積地積分;及 至少使用積分光譜之幾何性質取得成分濃度資訊。 71.根據申請專利範圍第70項之程式儲存媒體,其中程式進一步可操作以至少如下至少使用積分光譜之幾何性質取得成分濃度資訊包含: 在積分光譜之多個位置提供多個正切;及 測定成分濃度資訊如一或多個正切間至少一或多個交叉處之函數。 72.根據申請專利範圍第71項之程式儲存媒體,其中程式進一步可操作以如下在積分光譜之多個位置提供多個正切: 在積分光譜位置提供第一正切,其對應膜中峰成分强度之已獲得光譜之位置; 在積分光譜位置提供第二正切,其對應膜下基材部份中峰成分强度之已獲得光譜之位置;及 在積分光譜位置提供第三正切,其對應膜中峰成分强度與膜下基材部份中之峰成分强度間已獲得光譜之最小强度之谷。 73.根據申請專利範圍第72項之程式儲存媒體,其中程式進一步可操作以指出積分光譜之最小値及最大値,及其中程式進一步可操作以如下測定成分濃度資訊如一或多個正切間至少一或多個交叉處之函數: 基於積分光譜上第一及第三正切之交叉處與第二及第三正切之交叉處間之位置,測定代表膜中成分强度之値;及 使用代表膜中成分强度之値,測定代表膜下基材部份中成分强度之値,如基於積分光譜之最小値與最大値所測定之總成分强度之函數。 74.根據申請專利範圍第68-73項中任一項之程式儲存媒體,其中程式進一步可操作以基於膜之至少一個厚度測量偵測伴隨特定方法之方法偏離。 圖式簡單說明: 圖1為依照本發明之分析系統之描述性圖形。 圖2為可藉圖1所示之描述性分析系統進行之膜特性化方法之例示圖形。 圖3為可藉圖1所示之描述性分析系統進行之替代性膜特性化方法之例示圖形。 圖4為描述圖2與3所示方法之膜特性化方法之一個具體實施例之例示圖形。 圖5為用於描述本發明,顯示以x-射線照射之薄膜之表面敏感度之圖形。 圖6為一部份圖1所示系統之一個描述性具體實施例之略示圖形。 圖7A與7B為用於敘述依照本發明之分析儀角度具體實施例之描述性圖形。 圖8A為依照本發明用於測定膜厚度之薄介電膜特性化方法之一個具體實施例之描述性流程圖。 圖8B-8D為依照本發明,大致如圖8A所示,用於描述一個例示具體實施例以提供基礎光譜之描述性光譜圖形。 圖9為大致如圖8A所示之光譜比較法之一個例示具體實施例。 圖10為用於描述圖8A與9所述之方法之圖形。 圖11為依照本發明用於測定膜厚度之另一個替代性薄介電膜特性化方法之描述性流程圖。 圖12為大致如圖11所示之一部份方法之一個例示具體實施例。 圖13為用於描述圖11與12所述之方法之圖形。 圖14為使用膜厚度(如圖8A與11所描述性地顯示而測定)之濃度測定法之一個具體實施例之描述性流程圖。 圖15為用於敘述大致如圖14所示之方法之描述性圖形。