最新规格的HBM3 DRAM被评价为能够快速处理庞大数据的首选产品，从而大型科技公司的需求也在逐渐扩大。

公司已向数多全球客户公司提供了24GB HBM3 DRAM样品正在进行性能验证，据悉客户对此产品抱有极大的期待。

SK海力士封装测试（P&T）担当副社长洪相后表示：

公司以全球顶级后端工艺技术力为基础，接连开发出了超高速、高容量的HBM DRAM产品。将在今年上半年内完成新产品的量产准备，以巩固人工智能时代尖端DRAM市场的主导权。

*HBM(High Bandwidth Memory)：垂直连接多个DRAM，与DRAM相比显著提升数据处理速度的高附加值、高性能产品。HBM DRAM产品以HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）的顺序开发。

**现有HBM3 DRAM的最大容量是垂直堆叠8个单品DRAM芯片的16GB。

*MR-MUF：将半导体芯片堆叠后，为了保护芯片和芯片之间的电路，在其空间中注入液体形态的保护材料，并固化的封装工艺技术。与每堆叠一个芯片时，铺上薄膜型材料的方式对比工艺效率高，散热方面也更有效。

**TSV（Through Silicon Via， 硅通孔技术）在DRAM芯片打上数千个细微的孔，并通过垂直贯通的电极连接上下芯片的先进封装（Advanced Packaging）技术。采用该技术的SK海力士HBM3 DRAM可每秒传输163部全高清（Full-HD）电影，最大速度可达819GB/s（每秒819千兆字节）。返回搜狐，查看更多