《工程电磁场》学习笔记6 |
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目录 电磁波动方程 平面电磁波 理想介质中的均匀平面电磁波 理想介质中的正弦均匀平面波 导电媒质中的正弦均匀平面波 低耗介质中的正弦均匀平面波 良导体中的正弦均匀平面波 理想导体中的正弦均匀平面波 平面电磁波的极化 理想介质分界面上的反射与折射 理想介质分界面上的全反射与全折射 良导体表面上的反射与折射 对理想导体的正入射 对理想介质的正入射 电磁波动方程无源空间: 𝐽=0,𝜌=0,各向同性、线性、均匀 电磁波动方程: 无源空间中麦克斯韦方程组的解 波阵面(等相位面): 对应每一时刻t,空间电磁场中电磁或磁场具有相同相位的点构成等相位面 平面电磁波: 等相位面为平面的电磁波称为平面电磁波 均匀平面电磁波: 平面电磁波等相位面的每一点上,电场均相同,磁场也均相同,则称为均匀平面电磁波 均匀平面电磁波满足一维波动方程: 均匀平面电磁波特点: 1)均匀平面电磁波是横电磁波(TEM波),电场和磁场都没有传播方向上的分量 2)电场、磁场、传播方向三者两两垂直,满足右手螺旋关系 3)分量𝐸𝑦和𝐻𝑧构成一组平面波,分量𝐸𝑧和−𝐻𝑦构成另一组电磁波 理想介质中的均匀平面电磁波理想介质: 理想介质指电导率𝛾=0的媒质 理想介质中的一维波动方程: 方程的解: 理想介质中电磁波特点: 1)入射波: 分别是沿(x+)传播的电场分量和磁场分量,称为入射波 2)反射波: 分别是沿(x-)传播的电场分量和磁场分量,称为反射波 3)波速:理想介质中均匀平面波的传播速度为常数(n为折射率): 4)波阻抗: 称为理想介质波阻抗,入射波阻抗为𝑧0,反射波阻抗为-𝑧0 5)能量密度:电场能量密度等于磁场能量密度: 电磁能量密度: (这里𝐸𝑦+、𝐻𝑧+是振幅) 6)坡印廷矢量: (表明电磁能量以波速v沿波传播方向流动) 理想介质中的正弦均匀平面波波动方程复数表达式: 方程的解: 无限大均匀介质中不存在反射波 对应的瞬时表达式: (𝐸𝑦+和𝐻𝑍+对应振幅的有效值) 理想介质正弦均匀平面波特点: 1)波传播常数: 2)相位常数: 3)理想介质波阻抗: 表明电场与磁场同相 4)𝜔𝑡−𝛽𝑥的物理意义:沿x正向传播的平面波 5)相速:恒定相位点(𝜔𝑡−𝛽𝑥为恒定值的点)以速度 沿x正向传播,在理想介质中波速与相速相等 6)波长:波传播方向上相位改变2𝜋时两点的距离 7)理想介质中等相面与等辐面一致,电磁波无衰减传播 导电媒质中的正弦均匀平面波波动方程复数表达式: 方程的解: 导电媒质中正弦均匀平面波的特点: 1)波传播常数: 2)衰减常数: 3)相位常数: 4)等效介电常数: 导电媒质(𝛾≠𝑂)中的波传播常数与理想介质中的波传播常数具有相似性,用𝜀′替换𝜀 5)相速: 6)色散:导电媒质中相速与频率有关,即在同一媒质中,不同频率的波有不同的波长,这种现象称为色散,相应介质称为色散媒质 7)波阻抗: 表明磁场落后电场的相位为𝜑 8)坡印廷矢量的平均值: (这里𝐸𝑦+、𝐻𝑧+是有效值)表明波前进过程中伴随着能量损耗,损耗原因是由于电流消耗的焦耳热 低耗介质中的正弦均匀平面波低耗介质: 满足条件: 的有耗介质称为低耗介质,此时近似认为: 低耗介质中正弦均匀平面波特点: 1)衰减常数: 2)相位常数: 3)波阻抗: 4)低耗介质中相位常数和波阻抗接近理想介质中的值,只是电磁波有衰减。这样的介质中,位移电流代表了电流的主要特征 良导体中的正弦均匀平面波良导体: 良导体指: 的导电媒质,此时近似认为 良导体中正弦均匀平面波的特点: 1)波传播常数: 2)衰减常数、相位常数: 可见频率很高时,衰减常数非常大,集肤效应非常显著 3)波阻抗: 说明磁场滞后电场45°;𝛾很大,波阻抗很小,电场能量远小于磁场能量 4)相速: 𝛾很大,相速很小 5)波长: 𝛾很大,波长很小 6)透入深度: 理想导体: 理想导体指 无穷大的导电媒质 理想导体中正弦均匀平面波的特点: 透入深度为0 平面电磁波的极化波的极化: 相互垂直的两个电场𝐸𝑦和𝐸𝑧分量叠加,使合电场矢量端点随时间变化时在空间形成一定形状的轨迹,这种现象称为波的极化 线极化: 一三象限极化: 二四象限极化: 圆极化: 右旋极化(与传播方向满足右手螺旋关系): 左旋极化: 椭圆极化: 满足方程: (分界面切线方向相速度相同) 反射定律: 折射定律: 垂直极化波反射系数与折射系数: 垂直极化波:电场垂直于入射面 根据电场强度与磁场强度(没有面电流分布)的切向分量连续: 求出反射系数与折射系数 垂直极化波菲涅尔公式: 垂直极化波反射系数: 垂直极化波折射系数: 平行极化波菲涅尔公式: 平行极化波:电场平行于入射面 推导过程同理 平行极化波反射系数: 平行极化波折射系数: 全反射: 时发生全反射,发生全反射时𝜃2=90° 全反射临界角: 只有电磁波由波疏向波密且入射角大于临界角时才发生全反射 垂直极化波的全折射: 𝛤⊥=0,推出𝜀1=𝜀2,故垂直极化波不能全折射 平行极化波的全折射: 𝛤∥=0,推出 故平行极化波入射角等于布儒斯特角时发生全折射 良导体表面上的反射与折射无论何种极化波,良导体内折射波很小,几乎全反射 对理想导体的正入射发生全反射,反射波电场有180∘的突变(半波损失),与入射波叠加形成驻波 理想介质中合成电场强度: (E为有效值) 入射波: 反射波: 电场与磁场的关系: 理想介质中合成磁场强度: 入射波: 反射波: 驻波特点: 1)x轴上各点随时间作正弦变化,波形不跑动 2)电场节点/磁场腹点: 电场腹点/磁场节点: 相邻节点/腹点之间的距离为𝜆/2,相邻节点与腹点之间的距离为𝜆/4 3)电场与磁场之间存在𝜋/2的相位差 4)坡印廷矢量为纯虚数,平均电磁功率流密度为零,没有能量的传播,能力量局限于相邻节点之间 5)𝑥=0处导体表面磁场强度最大,形成面电流 (图示为𝛤>0时的情况,反射波电场与反射波电场同向,分界面磁场为最小值点) 入射波: 反射波: 透射波: 媒质1中的合成场: 合成场为行驻波 行驻波特点: 1)电场最大值: 最大值点: 2)电场最小值: 最小值点: 3)驻波比: |
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