该系列为《模拟电子技术基础（第5版，童诗白、华成英）》的阅读笔记

场效应管，又称单极型晶体管，是利用输出回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体期间。

场效应管分为：结型和绝缘栅型两种不同的结构。

如下图1.1所示，结型场效应管分为N沟道和P沟道两种类型。

图1.1结型场效应管

N沟道结型场效应管的结构示意图如下图1.2所示. 图中，同一块N型半导体上制作两个高掺杂的P区，并将他们连接在一起，所引出的电极称为栅极g，N型半导体的两端分别引出两个电极，一个称为漏极d，一个称为源极s。 P区与N区交界面形成耗尽层，漏极和源极间的非耗尽层区域称为导电沟道。 图1.2 N沟道结型场效应管的结构示意图

为使N沟道结型场效应管能正常工作，应在栅-源之间加负向电压（即uGS0V，则有漏极电流iD从漏极流向源极，而沿沟道从源极到漏极逐渐增大，造成靠近漏极一边的耗尽层比靠近源极一边的宽，如下图（a）所示。 ③当uDS从零逐渐增大时，uGD逐渐减小，靠近漏极一边的导电沟道必将随之变窄。但是只要栅-漏间不出现夹断区域，沟道电阻仍基本决定于栅-源电压uGS。因此，电流iD将随uDS的增大而线性增大，d-s呈现电阻特性。 ④而一旦uDS的增大使uGD等于UGS(off)，则漏极一边的耗尽层就会出现夹断区，称uGD=UGS(off)为预夹断。如下图（b）所示。 ⑤若uGD继续增大，则uGDuGS-uGS(off)(即g-d间未出现夹断)时，对应于不同的uGS，d-d间等效成不同阻值的电阻。 ②当uDS使uGD=UGS(off)时，d-s之间预夹断。 ③uDS使uGDuGS-uGS(th)时，对应于每一个uGS就有一个确定的iD。此时，可将iD是为电压uGS控制的电流源。

N沟道增强型MOS管的特性曲线与电流方程，如下图2.4所示。 MOS管也有三个工作区域：可变电阻区，恒流区与夹断区。 图2.4N沟道增强型MOS管的特性曲线与电流方程 （a）特性曲线 （b）电流方程

即使uGS=0,P型衬底表面也存在反型层，即漏-源之间存在导电沟道。 只要在漏-源之间加正向电压，就会产生漏极电流，如下图2.5（a）所示。 uGS为正时，反型层变宽，沟道电阻变小，iD增大；反之，uGS为负时，反型层变窄，沟道电阻变大，iD减小。 而当uGS从零减小到一定值时，反型层小时，漏-源之间导电沟道消失，iD=0。此时的uGS称为夹断电压UGS(off)。 N沟道耗尽型MOS管的uGS可以在正、负值的一定范围内实现对iD的控制，且仍保持栅-源间有非常大的绝缘电阻。 图2.5N沟道耗尽型MOS管的结构示意图及电气符号

与N沟道MOS管相对应，P沟道增强MOS管的开启电压UGS(th)