对于CMOS管，大家都清楚线性区和饱和区，管子的工作状态一般也在饱和区。电压电流关系如下：

I_D=\frac{1}{2}\mu_nC_{ox}\frac{W}{L}(V_{gs}-V_{th})^2

I_D=\frac{1}{2}\mu_nC_{ox}\frac{W}{L}[2(V_{gs}-V_{th})V_{ds}-V_{ds}^2]

此时的跨导 g_m 是饱和区的 g_m=\mu_nC_{ox}\frac{W}{L}(V_{gs}-V_{th}) （除了这种形式，还有 g_m=\sqrt{2\mu_nC_{ox}\frac{W}{L}I_D} ），线性区是 g_m=\mu_nC_{ox}\frac{W}{L}V_{ds} 。

不过gm的两段论还是粗浅了，在深亚微米的工艺下，CMOS不仅工作在饱和区和线性区，还有可能工作在亚阈值区和深三极管区。

亚阈值区（即second-effect order效应中的subthreshold conduction）是CMOS器件在现实中并不会像理想情况那样，在VgsVth，管子工作在强反型区。反型区，包括耗尽层（depletion），这些说法主要是用在器件领域，电路设计者提的少。

除 了亚阈值区外，还有一个区叫深三极管区（deep triode region）

亚阈值区的主要辨别参数是Vgs和Vth的关系，而深三极管区是继承了三极管区（triode region)，也称线性区（linear region）和饱和区的关系，Vds和Vgs-Vth的关系而得来的。Vds28nm仿真的gmoverid-Vov，（尺寸变量包括多个长度和两个宽度，宽度影响不大）

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