目录

一、场效应管(FET)基础知识

1.名称

2.电路符号

3.分类

4.应用场景

5.厂商介绍

二、MOS管G、S、D以及判定

三、耗尽型场效应管工作原理 (耗尽型：depletion mode)

四、NMOS与PMOS的区别 (区别：difference) (多晶硅：polysilicon)

1.根本原因

2.结构

3.电路接法

4.成本分析

五、MOS管与三极管区别

六、MOS管应用电路

场效应晶体管（Field Effect Transistor 缩写(FET)），简称场效应管。

结型场效应管（junction FET-JFET)

金属 - 氧化物半导体场效应管 （metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）

由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管，属于电压控制型半导体器件。

与之对应的是由两种载流子参与导电的双极型晶体管，三极管(BJT)，属于电流控制型半导体器件。

常见如图：

MOS管G、S、D代表什么？

G：gate 栅极S：source 源极D：drain 漏极

MOS管是金属(Metal)—氧化物(Oxid)—半导体(Semiconductor)场效应晶体管。市面上常有的一般为N沟道和P沟道。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。

详细介绍可参考大佬：MOS管从入门到精通以及nmos和pmos D G S 判别_mos管dgs-CSDN博客

关键点