SFD5N50是深鸿盛一款N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管，采用业界领先的VDMOS工艺技术制造而成，TO-252-2L封装，丝印SFD5N50，额定电压500V，额定电流5A，典型导通内阻值1.45Ω，最大1.5Ω，栅极阈值电压2-4v，如需了解该mos价格请联系二方电子。

5N50场效应管SFF5N50/SFD5N50绝对最大额定值参数；

N沟SFD5N50引脚排列图；

SFD5N50可以代换哪些型号？

可以和其它一些5N50mos管进行互相替换，具体可以比对规格书参数。

如需了解更多详情，如电气特性，热特性，典型性能特征，封装尺寸请联系客服为您提供规格书pdf文档。