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(首先)同等基板材料厚度栅极控制区厚度~内阻条件下,碳化硅的耐压性能更好,更适合在高电压平台下……以更低的损耗来工作! 碳化硅的电压切换转变…速度,开启关闭的速度更快,开关特性更佳,有利于降低切换瞬变过程中的损耗! 有利于工作在更高一些的 开关频率工况下,绕开人耳敏感的10k~20k噪音听域范围…… 助力汽车电控做变频驱动,其逆变的交流电频率的低损耗工作频率上限,可以抵达900~1100Hz附近…… 有利于 支持超高转数电机,利用单档位齿比……撑比较高的转数~极速! 再后,就是碳化硅更加耐热,SiC比硅基功率半导体,提升了大约1.5倍……碳化硅的结温达到逼近200摄氏度,依旧还顶得住! SiC更耐热,有利于提升电控设备的功率密度,同样的冷却条件下,电控设备可以输出更大的功率!或者说,达到同样的性能指标前提下,碳化硅电控设备可以做得更小巧和轻便一些!(数公斤到十公斤数量级的 汽车减重好处) 当汽车的电压平台(电池包额定电压)>450v……之后,做高性能汽车! 相对贵价的碳化硅就有其 发挥的舞台了!如果电池包电压,已经超过550v,则碳化硅,助益更大! 在类似500v~650v电池包额定电压条件下,碳化硅与传统硅基igbt比较,SiC可以节能4%~8%的幅度 |
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