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1. 相同点

1) 外围引脚定义：相同型号的管脚定义相同

2) Cortex M3 内核：STM32F103 内核 R1P1 版本, STM32F205 内核R2P1，

GD32 内核 R2P1 版本，此内核修复了 R1P1 的一些 bug

3) 芯片内部寄存器，外部 IP 寄存器地址 :逻辑地址相同，主要是根据 STM32 的寄存器和物理地址, 做的正向研发.

4) 函数库文件：函数库相同，优化需要更改头文件

5) 编译工具：完全相同例如：keil MDK、IAR

6) 型号命名方式：完全相同

2) BOOT 0 管脚：Flash 程序运行时，BOOT0 在 STM32 上可悬空，GD32 必须外部下拉（从 Flash 运行，BOOT0 必须下拉地）

3) ESD 参数：STM32 人体模式 2KV,空气模式 500V

GD32 人体模式 4KV(内测 5KV),空气模式 10KV(内测 15KV)

1) 启动时间：GD32 启动时间相同，由于 GD 运行稍快，需要延长上电时间配置(2ms)

2) 主频时钟：GD32F10 系列主频 108MHZSTM32F10 系列主频 72MHZ

3) Flash 擦除时间：GD32 是 60ms/page，STM 30ms/page

4) FLASH 容量：GD32 最大容量 3M Byte

5) SRAM 空间：GD32F103 系列、GD32F105\107 大容量系列 SRAM 96K

6) VB 外扩总线 FSMC：GD32 100PIN 配置总线输出，STM32 144PIN 并且 256k 以上才配置总线输出

4.功耗区别(以128k以下容量的作为参考)

1)睡眠模式Sleep：GD32F：12.4mA STM32F10X：7.5mA

2)深度睡眠模式Deep Sleep：GD32F：1.4mA STM32F10X：24uA

3)待机模式Stand By: GD32F: 10.5uA STM32F10X: 3.4uA 

4)运行功耗：GD32F: 32.4mA/72M STM32F10X: 52mA/72M

5.内部FLASH区别 

1)ISP：擦写时间同STM32有差异，使用新版ISP软件 

2)IAP：擦写时间相同，按字写入，按页擦除 

3)存储寿命：10万次擦写，数据保存20年以上 

4)加密特性：除了常规的禁止读出和96位ID号码加密之外，GD32数据写入 Flash时，具有存储逻辑地址连续，物理地址不连续的特性。 

二、GD32与STM32兼容性详析

1、系统

1)晶振起振区别

将宏定义：

启动时间宏定义所在位置：

\..\Libraries\CMSIS\CM3）（库版本的不同，所在目录也有所不同）

2、在V3.0以前的库，其启动时间宏定义在stm32f10x_rcc.c源文件中(HSEStartUp_TimeOut)

（路径：\..\Libraries\STM32F10x_StdPeriph_Driver\src）。

2)部分客户使用有源晶振出现问题，在GD32F103小容量产品，发现会在MCU的复位管脚一直把电平拉到0.89V，电平不能保持在高电平。

3)GD32 MCU主频支持108MHz高性能，在代码移植方面需要注意事项 

4)GD32F105/107系列MCU 配置为108MHz有何不同？

2、I/O口

1)IO口外部中断使用方法

所以解决方法就是通过禁用上升沿或者下降沿检测寄存器来开关中断，不能使用IMR屏蔽寄存器。

EXTI->FTSR &= ~EXTI_Line3; //关闭沿检测，以达到关闭中断的目的，下降沿使用FTSR寄存器，上升沿使用RTSR寄存器

EXTI->PR = EXTI_Line3; 

EXTI->FTSR |= EXTI_Line3;

2)在待机模式，PA8引脚特殊设置

3、定时器

1)定时器输入捕获模式需要软件清中断

2)定时器向上脉冲计数模式设置

脉冲计数模式下，装载值必须设置为比预期值大，否则不计数在ST上如果重载值不设置（初始为0）的时候，CNT可以正常计数。

在GD上如果重载值不设置保持初始为0的时候，会因为重载值为零，即便是来一个脉冲也会导致所有的寄存器复位从而不能正常计数。

3)TIM、ADC模块

4、串口USART

1)USART连续发送数据字节有空闲位

字节间有空闲位

由于篇幅有限，还有一部分内容未在此发布

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