单极性半导体器件是场效应管。

单极型半导体器件是场效应管。场效应晶体管主要有两种类型：结型场效应管和金属氧化物半导体场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。

具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）两大类。

按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种；按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管，而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。

一般，离子性较强的半导体（如Ⅱ-Ⅵ族半导体）多数为单极性半导体。例如CdS晶体：其中形成负离子空位(S)所需要的能量比形成正离子空位的要小，则通常总是存在有一定数量的(S)。

而(S)是带两个电荷的正电中心， 束缚有2个电子， 起着施主作用，因此CdS一般是n型的。又如ZnO、ZnSe、CdSe晶体：其中通常也是存在有负离子空位， 因此一般也是n型的。但是ZnTe的情况相反：其中通常存在的是正离子空位，起受主作用， 因此一般是p型的。