Zen1、Zen+和Zen2超频内存时，一般是用Thaiphoon搭配DRAM Calculator for  Ryzen自动计算时序、电压等参数。Zen3还没获得DRAM Calculator for  Ryzen支持，超频内存得手动调节。近来折腾Zen3+B550也有一些日子，摸索了些超频内存的经验，总结了一下分享给大家。

目前的超频记录基本都是由B550芯片组的主板刷出来的，B550主板的超频能力无容置疑。但是超频大佬的板子大都有厂家定向优化BIOS，另外还有雕级CPU，魔改内存，液氮散热等等，一般用户抄不了作业。

对于普通B550主板用户而言，内存频率会受到IF总线频率FCLK（infinity  Fabric clock）的影响。在技嘉AMD芯片组的BIOS里，FCLK称为Infinity Fabric Frequency and  Drivers，位于Settings-AMD Overclocking-DDR and Infinity Fabric  Frequency/Timings中。

在Windows系统中，会使用HWINFO或zentimings读取FCLK。在FCLK下面，还会看到一个UCLK（Unified  Memory controller Clock），即内存控制器频率。在Zen  2之前，内存频率MCLK和FCLK、UCLK关系是MCLK：FCLK：UCLK=1：1：1。Zen 2加入异步模式，  MCLK：UCLK=2：1，UCLK≠FCLK，使内存获得更高频率。

FCLK的数值是定值，主要和处理器体质有关。Zen3大部分的U都能在1900以上。能调到2000-2133算是小雕，2133及以上的则是大雕。其次是和主板有关，丐板的走线以及优化不到位的BIOS会拉低FCLK。

所以对于普通Zen3用户而言，购买内存频率在3600-4000mhz的产品性价比会高一些。而我选购的则是嘉合劲威旗下光威的电竞RGB灯条，血影BLOOD SHADOW内存。还是光威首款高频内存条，超频后能到4000MHz以上。

双条8G的16G套装，单面颗粒。支持XMP2.0，电压1.35V下内存频率到3600MHz，时许CL18-22-22-42。购买之前已经看过相关评测，颗粒是三星C-die。

三星C-die虽然没三星B-die体质强，但是表现并不弱，在体质好的zen3下内存频率上4000MHz很平常的，次一点体质的zen3下也有3800MHz。

近期不少内存都使用三星C-die，例如新版芝奇Ripjaws 4 3200-3600，海盗船铂统等等。在这些条子中，光威血影的价格更合适。

技嘉B550 AORUS MASTER的内存布线经过优化，可有效消除Stub效应降低信号干扰。在技嘉B550 AORUS MASTER主板内存插槽边上就有标明双条情况下，应该先插A2和B2槽。

内存插槽的底部还能看到金属的抗干扰遮罩，保证内存信号传输的高效。

技嘉B550 AORUS MASTER最新的F11p BIOS中，Zen3支持最高DDR4 5100MHz内存频率，Zen2支持最高DDR4 5200MHz内存频率，APU支持最高DDR4 5400MHz内存频率。

处理器是Zen3架构的Ryzen9 5900x，12核24线程，默认主频3.7GHz，睿频4.8GHz。台积电7nm工艺生产，默认TDP为105W。技嘉B550 AORUS MASTER新的F11p BIOS下，已经优化到FCLK达2000以上。

处理器散热器使用的是九州风神的小阿萨辛，AS500PLUS。这款散热器拥有和阿萨辛三代一样的140MM静音FDB轴承风扇，但是采用薄型单塔设计，不会阻挡内存。

超频内存的话，更偏爱使用这种薄型单塔设计的风冷散热器。因为其风扇更好可以带动内存这区域的空气流动，更有利于内存的散热。

另外机箱的散热也很要，闷罐机箱的话内存条的温度也会升高，不利于超频。

所以我会使用空间宽裕，中塔规格的安钛克DF600 FLUX驱逐者搭配B550 AORUS MASTER主板。

这款机箱前置面板就有3个120mm的ARGB风扇，除酷炫跑马灯外，还能源源不断地将外接新鲜空气吸入机箱之内，保障机箱内部空气流动。

虽然内存的功率很小，但是电源也会影响其超频。不过这个影响不是直接的，电源主要影响的是处理器和主板的供电，间接影响到内存的性能发挥。

我选用的是和机箱一个品牌的安钛克HCG850金牌全模组电源，这款电源支持10年换新，可见安钛克对其质量多有信心。

堆料也很足，全日系电容，从内部结构武装到线材末端，输出稳定有保障。

全模组设计，理线方便。有5个8pin输出接口，支持2个8pin给主板处理器供电，3个8pin给显卡供电。

内存的超频，一般是使用X.M.P（Extreme Memory Profile）。这种超频是厂商预先设定好的，能在绝大部分平台稳定运行，是一种安全的超频。

在技嘉AMD主板的BIOS中，简单模式下就能看到X.M.P的开启选项。光威血影内存初始内存频率是，时序。开启X.M.P后，内存频率会上升到3600MHz，时序18-22-22-42，FCLK频率1800MHz。

使用HWINFO读取FCLK是1800MHz，UCLK是1800MHz。内存频率MCLK和FCLK、UCLK关系符合MCLK：FCLK：UCLK=1：1：1。

使用aida64的内存性能测试工具，可以测得此时的读取速度是53696MB/s，写入是52495MB/s，复制是47540MB/s，延迟是62.3ns。

X.M.P是一种预设超频，是一种较为保守的超频。实际上由于平台、主板和处理器等硬件的不同，内存还有很大的超频空间。这种情况下，就得进入BIOS关闭X.M.P功能，手动对内存进行超频。

手动超频前，要先摸清内存颗粒的底细，一般使用的软件是Thaiphoon读取SPD信息。能查看到内存颗粒品牌是三星，编号K4A8G085WC-BCRC，8bit颗粒，一般称为三星C-die。

切换到report页面，查看X.M.P的相关数值作为往后手动超频的参考。

技嘉BIOS中，内存超频主要是两个参数，分别是内存倍频和DRAM  Voltage（内存电压）。DRAM  Voltage默认是1.2V，一般超频的话，电压会加到1.35V。一般三星B-die电压不超1.5V，C-die不超过1.4V；海力士CJR、镁光E-die和南亚A-die不超过1.45V。只要内存颗粒体质不差，将内存倍频修改成38，电压加到1.35V，其他参数都是自动，即可顺利将内存超频到3800MHz。

使用HWINFO读取FCLK是1800MHz，UCLK是950MHz。这时候已经是异步模式，UCLK和FCLK不再数值相同，MCLK：UCLK的比例变成2：1。

小参都是由BIOS自动决定的，考验的就是主板BIOS对内存的调教能力了。

使用aida64的内存性能测试工具，可以测得此时的读取速度是56308MB/s，写入是54385MB/s，复制是49902MB/s。由于变成了异步模式，延迟大幅度增加，达70.4ns。

内存频率要提升到4000MHz要修改的参数就多了，第一步就是试探自己的FCLK可以上升到多少。为了提升FCLK到2000MHz要加一下处理器的电压，另外还要调整一些相关的电压参数。

例如Vcore SOC电压，主要影响处理器的System on  Chip部分，例如内存控制器，IF总线频率FCLK等等，安全范围是0.9-1.25V，常常是1.2即可。调整这个电压，会到导致PCIe插槽不能运行在PCIE  4.0。另外还有一些相关电压，例如CPU VDD18，最高2V。VDDP是FCLK超频的关键电压，最多可以增加0.2V。这些小电压参数不是越大越好，默认这些参数会跟随内存电压和处理器电压的改变而改变，一般不需要自己调整。

我的R9 5900x体质比较一般，FCLK只能到2000。保证内存倍频和FCLK后，就得压一下时序。时序主要是指出CAS Latency、tRCD、tRP和tRAS，另外还有许多小参。

先缩小主时序区的四个参数，参考之前台风读取的数值，再慢慢修改小参。

最后将时序压到20-24-27-58，能过aida64的内存跑分。

测得读取速度是59346MB/s，写入是58192MB/s，复制是51493MB/s。非异步模式，延迟比之前X.M.P时稍微降低，缩小到59.6ns。

往后还尝试通过异步模式，将内存超频到4133MHz@30-27-27-58CR1并通过aida64跑分，这是光威血影DDR4电竞灯条在我这板子上达到的最高频率了。但是时序很差，延迟高，跑分也没4000MHz@CL20时的数值好看。

相对差不多价位的CJR内存来说，三星c-die的光威血影可玩性不弱。而且光威血影还是个RGB灯条，能任意调节灯光色彩，为所欲为。三星c-die有个现象是不怎么吃电压，从1.35V加到1.40V，时序还是压不到CL20以下。不过跑分性能上不弱，4000MHz@CL20时读取速度和写入速度都在59000MB/s左右。

总的来说，Zen3的内存超频和Zen2差不多，很大程度受到FCLK影响。非异步模式下内存频率受制于FCLK，最高是4000MHz左右。异步模式内存频率虽然可以获得提高，但是性能和延迟都降低，得不偿失。还得期待板厂努力更新BIOS，争取FCLK提升到更高频率。

不同版本BIOS下对处理器优化侧重点不一样，建议超FCLK上不去就换一个BIOS。技嘉官网不会保留Beta版BIOS，我GitHub收集了F11的Beta版BIOS文件，有需求的可以去下载。