半导体激光器(Semiconductor Laser)和LED(Light Emitting Diode)是两种常见的半导体发光器件，它们在原理、结构、性能以及应用等方面都有所不同。下面将详细介绍两者之间的不同之处。

一、工作原理不同

半导体激光器和LED的工作原理有着显著的差异。LED基于注入电子与空穴，通过复合放出光子的基本物理过程来实现发光的。这种方法称为自发辐射。而半导体激光器则利用了另一个重要物理效应——受激辐射，即在外界的激励下，电子受到能量的激发后跃迁到低能态的位置，从而放出能量等于两个能级差的光子。由此可以看出，激光是一种高度相干且单色性极好的光，而LED则是一种较为广谱的光源。

二、结构不同

半导体激光器和LED的结构也存在一定的差异。LED主要由P型半导体和N型半导体组成，当电流通过它们时，会在PN结处发生复合放出光子。

而半导体激光器则是由双异质结构组成的，其中夹在中间的是具有能带宽度的量子阱。当电流通过PN结时，会在量子阱中形成激子，进而发生受激辐射，产生相干光束。

三、性能不同

半导体激光器和LED在性能方面也有很明显的差别。激光器光线较为单色，光束也更加集中、聚焦，能量密度高，输出功率大。同时，由于其高相干性的特点，激光器在通信、医学等领域有着广泛的应用。

LED光谱分布较为宽泛，光线强度分布比较均匀，光束发散角度大，适合用于照明、指示、显示等领域。

四、应用不同

半导体激光器和LED应用领域也存在一定差异。激光器被广泛用于光通信、光存储、激光投影显示、激光切割、激光打印、医学美容等领域。

LED则广泛应用于照明、汽车灯光、显示器、指示灯、背光源等领域。

五、发光机制

半导体激光器和LED的发光机制不同。LED的发光是通过电子和空穴在PN结中复合而产生的辐射。

而半导体激光器的发光是由于电子和空穴的复合能够引起光放大而产生的激光辐射。

六、光谱特性

半导体激光器和LED的光谱特性也不同。LED的光谱较为宽带，而且存在颜色偏移的问题

半导体激光器的光谱较为窄带，可以实现单色或极窄线宽的输出。

七、输出功率

半导体激光器的输出功率比LED高得多，可以达到几个瓦或更高的水平，而LED的输出功率通常只有几毫瓦至几十毫瓦不等。

八、相干性

半导体激光器的光具有很好的相干性，可以产生高质量的激光束，适用于高精度测量、通信、材料加工等应用。

而LED的光相干性较差，不适合这些领域的应用。

九、价格

半导体激光器的价格比LED高得多，但随着技术的进步和市场竞争的加剧，价格逐渐下降。

总结：综上所述，虽然半导体激光器和LED都是利用半导体材料产生光，但它们在工作原理、结构、性能以及应用方向、发光机制、光谱特性、输出功率、相干性和价格等方面存在一定的异同。在不同的领域中，人们可以根据自己的需要选择合适的器件来满足需求。