第四章 半导体二极管和晶体管 |
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第四章 半导体二极管和晶体管
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宁夏师范学院数学与计算机科学学院 《电路与电子技术基础》
平面管结构剖面图 结构特点 1、三区两结 2、基区很薄 3、e区重掺杂 c区轻掺杂 b区掺杂最轻 4、集电区的面积则比发射区做得大,这是三极管实现电流放大的内部条件。 二、晶体管的电流分配与放大作用 1、放大状态下晶体管中载流子的运动 BJT 处于放大状态的条件: 内部条件:发射区重掺杂(故管子e、 c极不能互换);基区很薄(几个?m);集电结面积大 53
宁夏师范学院数学与计算机科学学院 《电路与电子技术基础》 外部条件:发射结正偏;集电结反偏 NPN型晶体管的电流关系 外加偏置电压要求 对 NPN管UC > UB> UE 对 NPN管UE> UB > UC
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宁夏师范学院数学与计算机科学学院 《电路与电子技术基础》
2、电流分配关系 IEP :基区向发射区扩散所形成的空穴电流(很小) ICBO集电区与基区之间的漂移运动所形成的电流(很小) 晶体管的主要功能: 电流控制(基极电流控制集电极电流) 电流放大(放大的比例关系一定) 3、直流电流放大系数 ?55
IBbICceIEI?I?IEBC??ICIB??20~200宁夏师范学院数学与计算机科学学院 《电路与电子技术基础》 共射极直流电流放大系数 三、晶体管的特性曲线 晶体管特性曲线:描述晶体管各极电流与极间电压关系的曲线。 1、共射极输入特性曲线 它是指一定集电极和发射极电压UCE下,三极管的基极电流IB与发射结电压UBE之间的关系曲线。
90603000.50.70.9uBE/ViB/|ìAUCE=0UCE≥1 UCE=0时,e与c短路,发射结与集电结并联,特性类似PN 结。UCE增大时,曲线右移。 2、共射极输出特性曲线 56
宁夏师范学院数学与计算机科学学院 《电路与电子技术基础》 共射组态晶体管的输出特性:它是指一定基极电流IB下,三极管的输结电压 放大区: ★发射结正向偏置, 集电结反向偏置uCE>uBE,uBE>Uon 1、基极电流 iB 对集电极电流 iC 的控制作用很强 2、uCE 变化时, iC 影响很小(恒流特性) 即: iC 仅取决于iB ,与输出环路的外电路无关。 饱和区:★发射结和集电结均正向偏置。临界饱和:uCE=uBE, 饱和区iC/mAuCE=uBE4放3大2区10510截止区出回路集电极电流IC与集电 IB?40?A30?A击穿区UCE之间的关系曲线。 20?A10?A0?A15iB=-ICBOuCE/VuCB=0(集电结零偏) 1、iB一定时,iC比放大时要小;三极管的电流放大能力下降,通常有iC 2、uCE 一定时iB增大,iC基本不变 3、三极管的集电极和发射极近似短接,三极管类似于一个开关“导通”。 截止区:★发射结和集电结均反向偏置 57 1234567>>15 搜索更多关于: 第四章 半导体二极管和晶体管 的文档 第四章 半导体二极管和晶体管.doc 将本文的Word文档下载到电脑,方便复制、编辑、收藏和打印 下载这篇word文档 本文链接:https://www.haowendang.cn/c19o435pxvn8c83h0epna2cg5h8ins2016dm_4.html(转载请注明文章来源) 相关推荐: 第四章 半导体二极管和晶体管20年2月【西南大学】[机考][9081]《行政管理学》(参考答案)哈药集团制药六厂会计制度设计2020年春华南理工大学 大学英语B统考(三)随堂练习答案教学提纲2020场馆安全注意事项(四篇)A1《风险管理与人身保险》(NO. 100100201)解析作文中的选词与炼句肉兔养殖项目可行性报告-甲级资质 全新版大学英语第二版听说教程2(unit1~7)答案三相异步电动机控制改造为PLC控制系统的设计高中历史专题二古代中国的科学技术与文化学习总结学案人民版必修3(2021年整理)vcnb编程[口袋妖怪黑白2]二周目图文流程神兽捕捉攻略【2019年整理】高中信息技术《算法与程序设计》试题网课答案.在浙学.商务连锁酒店运营与管理答案多层框架房屋结构设计关键问题研究工程经济作业4小狗的小房子阅读测试题及答案实验一 统计图表展示2020年毛概必考重点全真模拟试卷及答案(八) |
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