如何装作很懂半导体晶圆制造? |
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答:光阻去除 Wet bench dryer功用为何? 答:将晶圆表面的水份去除。 列举目前Wetbenchdry方法? 答:(1)SpinDryer;(2)Marangonidry(3)IPAVaporDry 何谓Spin Dryer? 答:利用离心力将晶圆表面的水份去除。 何谓Maragoni Dryer? 答:利用表面张力将晶圆表面的水份去除。 何谓IPA Vapor Dryer? 答:利用IPA(异丙醇)和水共溶原理将晶圆表面的水份去除。 测Particle时,使用何种测量仪器? 答:Tencor Surfscan 测蚀刻速率时,使用何者量测仪器? 答:膜厚计,测量膜厚差值。 何谓AEI? 答:After Etch Inspection蚀刻后的检查。 AEI目检Wafer须检查哪些项目? 答:(1)正面颜色是否异常及刮伤;(2)有无缺角及Particle;(3)刻号是否正确。 金属蚀刻机台转非金属蚀刻机台时应如何处理? 答:清机防止金属污染问题。 金属蚀刻机台asher的功用为何? 答:去光阻及防止腐蚀。 金属蚀刻后为何不可使用一般硫酸槽进行清洗? 答:因为金属线会溶于硫酸中。 "Hot Plate"机台是什幺用途? 答:烘烤 烘烤温度为何? 答:90~120度C 何种气体为PolyETCH主要使用气体? 答:Cl2,HBr,HCl 用于Al金属蚀刻的主要气体为? 答:Cl2,BCl3 用于W金属蚀刻的主要气体为? 答:SF6 何种气体为oxidevai/contactETCH主要使用气体? 答:C4F8,C5F8,C4F6 硫酸槽的化学成份为? 答:H2SO4/H2O2 AMP槽的化学成份为? 答:NH4OH/H2O2/H2O UVcuring有什么用途? 答:利用UV光对光阻进行预处理以加强光阻的强度。 "UVcuring"用于何种层次? 答:金属层 何谓EMO? 答:机台紧急开关。 EMO作用为何? 答:当机台有危险发生之顾虑或已不可控制,可紧急按下。 湿式蚀刻门上贴有那些警示标示? 答:(1)警告,内部有严重危险,严禁打开此门;(2)机械手臂危险,严禁打开此门;(3)化学药剂危险,严禁打开此门。 遇化学溶液泄漏时应如何处置? 答:严禁以手去测试漏出之液体.应以酸碱试纸测试.并寻找泄漏管路。 遇IPA槽着火时应如何处置? 答:立即关闭IPA输送管路并以机台之灭火器灭火及通知紧急应变小组。 BOE槽之主成份为何? 答:HF(氢氟酸)与NH4F(氟化铵)。 BOE为哪三个英文字缩写? 答:Buffered Oxide Etcher。 有毒气体之阀柜(VMB)功用为何? 答:当有毒气体外泄时可利用抽气装置抽走,并防止有毒气体漏出。 电浆的频率一般13.56MHz,为何不用其它频率? 答:为避免影响通讯品质,目前只开放特定频率,作为产生电浆之用,如380~420KHz,13.56MHz,2.54GHz等。 何谓ESC(electricalstaticchuck)? 答:利用静电吸附的原理,将Wafer固定在极板(Substrate)上。 Asher主要气体为? 答:O2 Asher机台进行蚀刻最关键之参数为何? 答:温度 简述Turbopump原理? 答:利用涡轮原理,可将压力抽至10-6TORR. 热交换器(Heat Exchanger)之功用为何? 答:因为温度会影响制程条件;如etchingrate/均匀度。 为何需要注意drypump exhaust presure(pump出口端的气压)? 答:因为气压若太大会造成pump负荷过大;造成pump跳掉,影响chamber的压力,直接影响到run货品质。 为何要做漏率测试? 答:(1)在PM后PUMPDown1~2小时后;为确保chamberRun货时,无大气进入chambe影响chamberGAS成份;(2)在日常测试时,为确保chamber内来自大气的泄漏源,故需测漏机台发生。 Alarm时应如何处理? 答:(1)若为火警,立即圧下EMO(紧急按钮),灭火并通知相关人员与主管;(2)若是一般异常,请先检查alarm讯息再判定异常原因,进而解决问题,若未能处理,应立即通知主要负责人蚀刻机台。 废气排放分为哪几类? 答:一般无毒性废气/有毒酸性废气排放。 蚀刻机台使用的电源为多少伏特? 答:208V三相 干式蚀刻机台分为那几个部份? 答:(1)Load/Unload端 (2)transfermodule (3)Chamberprocessmodule (4)真空系统 (5)GASsystem (6)RFsystem 在半导体程制中,湿制程(wet processing)分哪两大类? 答:(1)晶圆洗净【wafercleaning】(2)湿蚀刻【wetetching】。 晶圆洗净(wafer cleaning)的设备有哪几种? 答:(1)Batchtype(immersiontype):a)carriertypeb)Cassettelesstype (2)Singlewafertype(spraytype) 晶圆洗净(wafercleaning)的目的为何? 答:去除金属杂质,有机物污染及微尘。 半导体制程有哪些污染源? 答:(1)微粒子;(2)金属;(3)有机物 ;(4)微粗糙;(5)天生的氧化物。 RCA清洗制程目的为何? 答:于微影照像后,去除光阻,清洗晶圆,并做到酸碱中和,使晶圆可进行下一个制程。 洗净溶液APM(SC-1)-->NH4OH:H2O2:H2O的目的为何? 答:去除微粒子及有机物。 洗净溶液SPM-->H2SO4:H2O2:H2O的目的为何? 答:去除有机物。 洗净溶液HPM(SC-2)-->HCL:H2O2:H2O的目的为何? 答:去除金属。 洗净溶液DHF-->HF:H2O(1:100~1:500)的目的为何? 答:去除自然氧化膜及金属。 洗净溶液BHF(BOE)-->HF:NH4F的目的为何? 答:氧化膜湿式蚀刻。 洗净溶液热磷酸-->H3PO4的目的为何? 答:氮化膜湿式蚀刻。 0.25微米逻辑组件有哪五种标准清洗方法? 答:1、扩散前清洗 2、蚀刻后清洗 3、植入后清洗 4、沉积前洗清 5、CMP后清洗。 超音波刷洗(ultrasonicscrubbing)目的为何? 答:去除不溶性的微粒子污染。 何谓晶圆盒(POD)清洗? 答:利用去离子水和界面活性剂(surfactant),除去晶圆盒表面的污染。 高压喷洒(high pressure spray)或刷洗去微粒子在那些制程之后? 答:(1)锯晶圆(wafersaw);(2)晶圆磨薄(waferlapping);(3)晶圆拋光(waferpolishing);(4)化学机械研磨。 晶圆湿洗净设备有哪几种? 答:(1)多槽全自动洗净设备;(2)单槽清洗设备(3)单晶圆清洗设备。 单槽清洗设备的优点? 答:(1)较佳的环境制程与微粒控制能力;(2)化学品与纯水用量少;(3)设备调整弹性度高。 单槽清洗设备的缺点? 答:(1)产能较低;(2)晶圆间仍有互相污染。 单晶圆清洗设备未来有那些须要突破的地方? 答:产能低与设备成熟度。 晶圆制造工艺流程 1、表面清洗; 2、初次氧化; 3、CVD(ChemicalVapordeposition)法沉积一层Si3N4(HotCVD或LPCVD)。 (1)常压CVD(NormalPressureCVD)(2)低压CVD(LowPressureCVD)(3)热CVD(HotCVD)/(thermalCVD)(4)电浆增强CVD(PlasmaEnhancedCVD)(5)MOCVD(MetalOrganicCVD)&分子磊晶成长(MolecularBeamEpitaxy)(6)外延生长法(LPE); 4、涂敷光刻胶(1)光刻胶的涂敷(2)预烘(prebake)(3)曝光(4)显影(5)后烘(postbake)(6)腐蚀(etching)(7)光刻胶的去除; 5、此处用干法氧化法将氮化硅去除; 6、离子布植将硼离子(B+3)透过SiO2膜注入衬底,形成P型阱; 7、去除光刻胶,放高温炉中进行退火处理; 8、用热磷酸去除氮化硅层,掺杂磷(P+5)离子,形成N型阱; 9、退火处理,然后用HF去除SiO2层; 10、干法氧化法生成一层SiO2层,然后LPCVD沉积一层氮化硅; 11、利用光刻技术和离子刻蚀技术,保留下栅隔离层上面的氮化硅层; 12、湿法氧化,生长未有氮化硅保护的SiO2层,形成PN之间的隔离区; 13、热磷酸去除氮化硅,然后用HF溶液去除栅隔离层位置的SiO2,并重新生成品质更好的SiO2薄膜,作为栅极氧化层; 14、LPCVD沉积多晶硅层,然后涂敷光阻进行光刻,以及等离子蚀刻技术,栅极结构,并氧化生成SiO2保护层; 15、表面涂敷光阻,去除P阱区的光阻,注入砷(As)离子,形成NMOS的源漏极。用同样的方法,在N阱区,注入B离子形成PMOS的源漏极; 16、利用PECVD沉积一层无掺杂氧化层,保护元件,并进行退火处理; 17、沉积掺杂硼磷的氧化层18、濺镀第一层金属(1)薄膜的沉积方法根据其用途的不同而不同,厚度通常小于1um。(2)真空蒸发法(EvaporationDeposition)(3)溅镀(SputteringDeposition); 19、光刻技术定出VIA孔洞,沉积第二层金属,并刻蚀出连线结构。然后,用PECVD法氧化层和氮化硅保护层; 20、光刻和离子刻蚀,定出PAD位置; 21、最后进行退火处理,以保证整个Chip的完整和连线的连接性。 晶圆制造总的工艺流程、芯片的制造过程可概分为:晶圆处理工序(WaferFabrication)、晶圆针测工序(WaferProbe)、构装工序(Packaging)、测试工序(InitialTestandFinalTest)等几个步骤。 其中,晶圆处理工序和晶圆针测工序为前段(FrontEnd)工序,而构装工序、测试工序为后段(BackEnd)工序。 1、晶圆处理工序:本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件(如晶体管、电容、逻辑开关等),其处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关,但一般基本步骤是先将晶圆适当清洗,再在其表面进行氧化及化学气相沉积,然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤,最终在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作。 2、晶圆针测工序:经过上道工序后,晶圆上就形成了一个个的小格,即晶粒,一般情况下,为便于测试,提高效率,同一片晶圆上制作同一品种、规格的产品;但也可根据需要制作几种不同品种、规格的产品。在用针测(Probe)仪对每个晶粒检测。 其电气特性,并将不合格的晶粒标上记号后,将晶圆切开,分割成一颗颗单独的晶粒,再按其电气特性分类,装入不同的托盘中,不合格的晶粒则舍弃。 3、构装工序:就是将单个的晶粒固定在塑胶或陶瓷制的芯片基座上,并把晶粒上蚀刻出的一些引接线端与基座底部伸出的插脚连接,以作为与外界电路板连接之用,最后盖上塑胶盖板,用胶水封死。其目的是用以保护晶粒避免受到机械刮伤或高温破坏。到此才算制成了一块集成电路芯片(即我们在电脑里可以看到的那些黑色或褐色,两边或四边带有许多插脚或引线的矩形小块)。 4、测试工序:芯片制造的最后一道工序为测试,其又可分为一般测试和特殊测试,前者是将封装后的芯片置于各种环境下测试其电气特性,如消耗功率、运行速度、耐压度等。 经测试后的芯片,依其电气特性划分为不同等级。而特殊测试则是根据客户特殊需求的技术参数,从相近参数规格、品种中拿出部分芯片,做有针对性的专门测试,看是否能满足客户的特殊需求,以决定是否须为客户设计专用芯片。 经一般测试合格的产品贴上规格、型号及出厂日期等标识的标签并加以包装后即可出厂。而未通过测试的芯片则视其达到的参数情况定作降级品或废品。 来源:整理自网络返回搜狐,查看更多 |
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