五一劳动节刚过，LAN就迎来了一位重量级嘉宾——北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授，彭教授在化北118与大家分享了一点个人经历，并随后在化学院会议室上做了题为“高迁移率半导体BOX的可控生长与光电器件”的报告。

彭教授目前的研究方向主要包括石墨烯的前瞻性制备以及拓扑绝缘体的研究，在制备决定未来的背景下，彭教授对如何长出高质量的石墨烯大单晶做着一系列的工作。而对于目前主流的二维材料，石墨烯缺少带隙，二硫化钼迁移率不高，黑磷不稳定等问题，彭教授首次发现了兼具高迁移率、合适带隙、环境稳定的二维材料硒氧化铋！

在会议室的报告上，彭教授首先向我们介绍了晶体管目前发展的限制，随着集成器件越来越小，硅材料在摩尔定律下也渐渐达到其物理极限，根据晶体管的原理，目前一些高迁移率的二维材料被期待作为一种潜在的替代材料。谈到具体的研究，彭教授系统的讲述了他的“5S”石墨烯单晶的制备，“超大，超快，超洁净，超平整，超导电”让人印象深刻，不仅仅包括石墨烯的高质量大单晶生长，也包括如何洁净的转移，每个工作都在朝着实际的方向努力，并且都取得了很好的成果。之后彭教授向我们介绍了全新的高迁移率二维半导体硒氧化铋，让人惊叹高性能的同时，也对彭教授探索一种全新二维材料的能力表示钦佩。报告之后，彭教授对大家的一些疑问都做出了很好的解答，让我们受益匪浅。彭教授对于课题的背景知识了解深入，研究思路完整，比如对于石墨烯制备中一些主流问题是如何解决，做到了何种程度，让我们很清楚的看到了他在这一领域的研究。听完彭教授的报告，学到更多的是一些专业知识，也能从中体会到一些做科研的思路，这些都是需要我们在今后的科研中学习与借鉴的地方！（通讯员：笪煜民，图：翁政）