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主要规格及技术指标
在30 keV下二次电子探测器分辨率1.2 nm,背散射电子探测器分辨率 2 nm;放大倍数 1x – 1000000x;最大视野:6 mm(工作距离9 mm),17 mm (工作距离30 mm);工作电压:200 eV ~ 30 keV; 工作束流:2 pA ~ 200 nA。 主要功能及特色定点切割、转移、固定样品。可用于样品表面观测,切割,适用于TEM样品制备。 主要附件及配置纳米操纵器(1个),气体沉积系统(Pt,SiO2,W,F2,H2O),电子束曝光系统 |
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