ROM, RAM, FLASH闪存, SSD, DDR3/4， eMMC, UFS, SD卡, TF卡, 这几个名词在手机和电脑等数码产品的参数中经常出现，单独看还明白是什么，放在一块，他们的主要用途和区别有时候会比较混乱，但知道他们都是存储器，放东西的，存储空间和体积有大有小、速度有快有慢、工艺有难又易，自然价格有高有低， 性价比最高的使用场合也很不同。

就从内存的概念开始，从功能上分，内存有三种：RAM、ROM和CACHE。

RAM，全称叫Random Access Memory，意思是随机存取存储器，也就是运行内存，储存的是软件运行时和运行之后的相关数据，RAM越大，手机运行就越快，但是其作为随机存取内存，所以在关机之后RAM存的数据不会保存。在电脑中，主要是内存条，也被称为主存，关机断电丢数据。

ROM，全称是Read Only Memory，叫做只读内存，也就是存储内存。电脑的BIOS就是固化在主板的BIOS ROM芯片里面的，电脑硬盘的也是ROM，放系统、用户文件等。现在在讲手机的存储容量时基本上就是指的rom容量，一部分是系统占用的，另一部分是用户可自由支配的存储空间，能存放手机软件、用户文件（照片、视频等）。 　　 　　CACHE，是高速缓存，是速度特别快的RAM，一般是静态RAM（主内存是动态RAM），比动态RAM速度快得多，是用来弥补主内存速度不够快而设定的。、

DRAM（Dynamic Random Access Memory，动态随机存储器）是最为常见的系统内存。我们使用的电脑和手机的运行内存都是DRAM。DRAM使用电容存储，DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，所以必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。数据的存储，请参考数据存储模型。我们知道，电容中的电荷很容易变化，所以随着时间推移，电容中的电荷数会增加或减少，为了确保数据不会丢失，DRAM每隔一段时间会给电容刷新（充电或放电）。动态：定时刷新数据。

SDRAM：（Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步动态随机存取存储器），为DRAM的一种，同步是指Memory工作需要同步时钟，内部命令的发送与数据的传输都以时钟为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是由指定地址进行数据读写。

（1）DDR SDRAM（Double Data Rate SDRAM）：为双信道同步动态随机存取内存，是新一代的SDRAM技术。DDR内存芯片的数据预取宽度（Prefetch）为2 bit（SDRAM的两倍）。

（2）DDR2 SDRAM（Double Data Rate Two SDRAM）：为双信道两次同步动态随机存取内存。DDR2内存Prefetch又再度提升至4 bit（DDR的两倍）

（3）DDR3 SDRAM（Double Data Rate Three SDRAM）：为双信道三次同步动态随机存取内存。DDR3内存Prefetch提升至8 bit，即每次会存取8 bits为一组的数据。运算频率介于 800MHz -1600MHz之间。

SRAM（Static Random Access Memory，静态随机存储器），它是一种具有静止存取功能的内存，其内部机构比DRAM复杂，可以做到不刷新电路即能保存它内部存储的数据。静态：不需要刷新。

对比DRAM的优缺点：

ROM（只读存储器）按其内容写入方式，一般分为3种：固定内容ROM；可一次编程PROM；可擦除ROM，又分为EPROM（紫外线擦除电写入）和EEPROM（电擦除电写入）等类型。

是采用掩模工艺制作的，其内容在出厂时已按要求固定，用户无法修改。由于固定ROM所存信息不能修改，断电后信息不消失，所以常用来存储固定的程序和数据。如在计算机中，用来存放监控、管理等专用程序。

是可一次编程ROM。这种存储器在出厂时未存入数据信息。单元可视为全“0”或全“1”，用户可按设计要求将所需存入的数码“一次性地写入”，一旦写入后就不能再改变了。PROM在每一个存储单元中都接有快速熔断丝，在用户写入数据前，各存储单元相当于存入“1”。写入数据时，将应该存“0”的单元，通以足够大的电流脉冲将熔丝烧断即可。

为了克服PROM只能写入一次的缺点，出现了可多次擦除和编程的存储器。EPROM是可擦除可编程的ROM，电写入紫外线擦除的存储器。

EPROM内容的改写不像RAM那么容易，在使用过程中，EPROM的内容是不能擦除重写的，所以仍属于只读存储器。要想改写EPROM中的内容，必须将芯片从电路板上拔下，将存储器上面的一块石英玻璃窗口对准紫外灯光照射数分钟，使存储的数据消失。擦除时间大约为10min~30min，视型号不同而异。为便于擦除操作，在器件外壳上装有透明的石英盖板，便于紫外线通过。在写好数据以后应使用不透明的纸将石英盖板遮蔽，以防止数据丢失。数据的写入可用软件编程，生成电脉冲来实现。

是一种电写入电擦除的只读存储器，擦除时不需要紫外线，只要用加入10ms、20V左右的电脉冲即可完成擦除操作。擦除操作实际上是对E2PROM进行写“1”操作，全部存储单元均写为“1”状态，编程时只要对相关部分写为“0”即可。

一般讲Flash也是一种ROM，是EEPROM的变种，是新一代的EEPROM，它具有EEPROM擦除的快速性，结构又有所简化，进一步提高了集成度和可靠性，从而降低了成本。目前除了各种快闪存储器的产品面世外，快闪存储器还向其他应用领域拓展，例如已经应用于计算机上的可移动磁盘，以代替软磁盘。

Flash又分NAND Flash和NOR Flash，NOR型存储内容以编码为主，其功能多与运算相关；NAND型主要功能是存储资料，如数码相机中所用的记忆卡。

（1）Nor Flash：主要用来执行片上程序

　　优点：具有很好的读写性能和随机访问性能，因此它先得到广泛的应用；

　　缺点：单片容量较小且写入速度较慢，决定了其应用范围较窄。

（2）NAND Flash：主要用在大容量存储场合

　　优点：优秀的读写性能、较大的存储容量和性价比，因此在大容量存储领域得到了广泛的应用；

　　缺点：不具备随机访问性能。

SSD（Solid State Drives）是固态硬盘，是由闪存作为存储介质的硬盘方案。现在大部分的SSD都是用来存储不易丢失的资料，所以SSD存储单元会选择NAND Flash芯片。SSD里面会用到很多闪存的，要根据SSD的容量来定，比如一块64G的固盘，可以选择16 张 4G的flash，也可以选择4张16G的flash，具体怎么选择要看线路设计及成本考量。嵌入式产品中包括数码相机，移动设备的内存卡、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等也是用的NAND Flash芯片。

                                                                                                   一块SSD固态硬盘 

一个SSD，为了达到高并行高性能的要求，有多个NADN Flash 芯片，这样就可以在每个芯片上进行相互独立的读写操作，以并行性来提高硬盘吞吐量，还可以增加冗余备份。

SD卡：Secure Digital Memory Card/SD card

是一种基于半导体快闪存储器的新一代高速存储设备。SD存储卡的技术是从MMC卡( MultiMedia Card格式上发展而来，在兼容SD存储卡基础上发展了SDIO( SD Input/ Output)卡，此兼容性包括机械，电子，电力，信号和软件，通常将SD、SDIO卡俗称SD存储卡。采用的也是NAND Flash芯片作为存储核心。用在数码产品存储照片、音乐、视频等等。

TF卡：Trans-flash Card

原本这种记忆卡称为T-Flash，及后改称为Trans Flash；而重新命名为Micro SD的原因是因为被SD协会 (SDA) 采立，Micro SD卡是其最新的名字。采用的也是NAND Flash芯片作为存储核心。以前手机扩展内存用的那种黑黑的小内存卡。

MMC卡：MultiMediaCard

即多媒体卡，也是一种非易失性存储器件，体积小巧，容量大，耗电量低，传输速度快。MMC共有7个pin,分为两种模式，分别为MMC模式和SPI模式。MMC卡时钟频率是20MHz,比SD卡少两个PIN,只有一位数据带宽，所以最大传输速率为2.5MHz。MMC也是一种接口协定（一种卡式），能符合这接口的内存器都可称作mmc储存体（mmc卡）。同为闪存卡。

eMMC：不是卡，而是芯片

手机等小型化产品为了节省空间和功耗，ROM一般采用eMMC 和 UFS，他们也是采用NADN Flash 芯片，与其他功能封装在一起形成的，但远远没有SSD那么土豪，有那么多个，eMMC 和 UFS一般只有一片或很少Flash，小巧使其面向的是移动端 。

后面重点介绍eMMC。

在应用中，常规上ROM是用来存储固化程序的，RAM是用来存放数据的。由于FLASH ROM比普通的ROM读写速度快，擦写方便，一般用来存储用户程序和需要永久保存的数据。譬如说，电子温度计，它的MCU是一款单片机（51/Stm32/ARM等），写好编译过的单片机程序就烧写到ROM里（但不同MCU程序执行的地方不一样）。电子温度计在工作过程中，外部温度会影响传感器的输出电压和电流，经过AD转换后，单片机根据程序处理为温度值，模拟或者数字的电压和电流都是整个过程产生的中间量（程序运行数据），用完就没用了，因此这些值跑在RAM里边。然而计算完的温度，是要保存起来的，除非我们自己把它删掉，单片机会定时或者在停电的瞬间将电度数存入到FLASH。简单说就是：程序在ROM里，执行过程产生的数据在RAM里，结果放在Flash里。但很多产品Flash指的就是ROM，或者ROM就是某种Flash。

RAM和ROM是两个大概念，看手机参数时碰到这两个参数，只能看到内存大小，并不能看出具体是什么类型以及到底使用的什么存储技术。在硬件称呼上，手机的ROM类型之前多用的eMMC，现在主要是UFS，仍习惯直接叫ROM、RAM；但放在嵌入产品中，习惯叫Flash。

eMMC (Embedded Multi Media Card）是MMC协会订立、主要针对手机或平板电脑等产品的内嵌式存储器标准规格。由一个嵌入式存储解决方案组成，带有MMC（多媒体卡）接口、快闪存储器设备及主控制器。所有都在一个小型的BGA 封装。接口速度高达每秒52MBytes，eMMC具有快速、可升级的性能。同时其接口电压可以是1.8V或者是3.3V。它是在NAND闪存芯片的基础上，额外集成了主控制器，并将二者“打包”封装封成一颗BGA芯片，从而减少了对PCB主板的空间占用，也是移动设备中普及度最高的存储单元。eMMC的性能会随着总线接口的升级而提升，而目前最新的标准就是eMMC 5.1。

   优点：

 可以看出eMMC其实是一个有管理员的NAND Flash，主要功能还是存储。

UFS：Univeral Flash Storage，我们可以将它视为eMMC的进阶版，是由多个闪存芯片、主控、缓存组成的阵列式存储模块。UFS弥补了eMMC仅支持半双工运行（读写必须分开执行）的缺陷，可以实现全双工运行，所以性能得以翻番。