（一）手拨数据方式读写存储器。（p120）

完成内存数据手工拨入操作后，后用读出方式检查操作结果的正确性。

(一)存储器写 FS1—FS4 = 0100  STP 置连续脉冲方式

1.拨好首地址；

2.拨入数据，按下STEP CLK写入数据，存储器地址自动加1；

3.重复2，连续写入数据，操作时，可以让LED灯显示内部总线，观察拨入数据，或显示地址总线，观察将要写入的存储器地址，或两者交替显示，在拨入数据时显示内部总线，写入时候显示地址总线。

①拨入（选择内部总线）

②写入（选择地址总线）

4.数据要写入不连续存储器单元时，转1重新开始。

（二）存储器读 FS1—FS4 = 0110  STP 置连续脉冲方式

1.拨好首地址；

2.用LED灯显示IB总线，观察存储器中读出的数据，观察存储器地址；

3.此时可以一直按STEP CLK顺序读取内容，如需读取不连续的从1重新开始。

(二) 主存储器扩展实验

1、实验原理电路图：

（确定存储器地址范围）

TEC-2机主存由2片LS2732构成4K的ROM区（其中0000H-07FFH 2K区间基本监控程序去3800H-3FFFH 2K区间为附加监控程序区），2片LS6116构成2K用户程序/数据区（地址：0800H-0FFFH）。

2.单步命令实验：

        （1）从8000H开始的内存单元实验

用“E”命令输入数据，从E8000H开始的内存单元实验，再继续输入：0000 1111 2222 3333 4444 5555 6666 7777 8888 9999，最后用D命令查看输入数据；

        （2）从8800H开始的内存单元实验

用“E”命令输入数据，从E8800H开始的内存单元实验，再继续输入：0000 1111 2222 3333 4444 5555 6666 7777 8888 9999，最后用D命令查看输入数据；

3、连续程序实验：

（1）从8000H开始的内存单元实验

从8000H开始用“A”命令输入程序：A800，再继续输入一系列代码，然后用“G”命令执行输入程序，最后用“D”命令查看；

（2）从8800H开始的内存单元实验

从8800H开始用“A”命令输入程序：A800，再继续输入一系列代码，然后用“G”命令执行输入程序，最后用“D”命令查看；