微机原理与接口技术复习笔记（5） |
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微机原理与接口技术复习笔记（5）
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作者：BerenCamlost
这一章其实是整本书最简单的一个单元，但是也有很多需要注意的部分，一起来看看吧！
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作者：BerenCamlost这一章其实是整本书最简单的一个单元，但是也有很多需要注意的部分，一起来看看吧！
第五章 储存器系统5.1 随机存储器5.1.1 SRAM5.1.2 DRAM
5.2 只读存储器5.2.1 掩膜只读存储器（MROM）5.2.2 可编程只读存储器（PROM）5.2.3 光擦除可编程存储器（EPROM）5.2.4 快擦出存储器（Flash Memory）5.2.5 电擦除可编程存储器（EEPROM）
5.3 片选方法5.3.1 线选法5.3.2 全译码5.3.3 部分译码5.3.4 混合译码5.3.5 ==74LS138==
5.4 典型例题
如果还有不懂的问题，欢迎在评论区留言~
第五章 储存器系统
5.1 随机存储器
随机存储器分为两类，静态RAM（SRAM）、动态RAM（DRAM） 5.1.1 SRAM 存取速度快在不掉电的情况下数据稳定采用多管MOS构成集成度低功耗大一般做高速缓存其引脚个数的计算方式为：地址线+数据线+4（VCC、GND、CS、WR） 但是由于芯片的个数只能是偶数个，所以这里容易出错。例如下题：
这题算出来的结果11+8+2=21，但是由于芯片的引脚个数只能是偶数个，所以此题选D 5.1.2 DRAM 利用电容的电荷效应来存储信息需要进行刷新集成度大功耗小成本低一般作为PC机的内存这个东西的地址线，是计算出的地址线除以2，采用分时复用方式他的地址线采用行列矩阵方式，有行选通和列选通引脚加以协调每次刷新512个单元 5.2 只读存储器 5.2.1 掩膜只读存储器（MROM）只能读出，不能更改。 5.2.2 可编程只读存储器（PROM）只能写一次，一旦写入就只能读出使用，不能再修改。 5.2.3 光擦除可编程存储器（EPROM） 工作电源Vcc = +5V编程电源Vpp = +25V使用紫外光（照射15~20分钟）擦除 5.2.4 快擦出存储器（Flash Memory）电可擦/写、非易失性存储器 5.2.5 电擦除可编程存储器（EEPROM） 5.3 片选方法 5.3.1 线选法 地址不连续性地址存在重叠区 5.3.2 全译码 地址具有连续性，无空白地址区或重叠地址，具有唯一性CPU的寻址空间得到了充分的利用 5.3.3 部分译码 如果正确选择高位地址，则地址连续可能出现地址重叠区域 5.3.4 混合译码 将线选法和部分译码法相结合。 5.3.5 74LS138据笔者发现，在考试卷子中肯定会出现74138这个译码器，但是在74138译码器的3线输入端可能会出现问题：A、B、C哪个是高位的输入呢？下面给出一张图分析说明： 暂时先写一部分吧~ 1.设某静态RAM芯片的容量为8K×8位，若用它组成32K×8的存储器，所用芯片数以及这种芯片的片内地址线数目是_____________。 【答】：4片，13根 【析】：注意题目中问的是“片内地址线数目”，所以是8K的地址线数目，因为8K=213，所以有13根。 2.设某DRAM芯片的容量为16K×N（N为4或8），它的地址线和数据线分别是________。 【答】：A0～A6，D0～D(N-1) 【析】：注意DRAM芯片的地址线采用的是分时复用方法读取地址，所以实际需要的地址线只有一半。即16K=214，14/2=7根 3.在进行RAM扩充实验时，某同学的接线出现____，但存储器还能正常读写。 A) D1与D5交换 B) WR与CS线交换 C) D1与A1交换 D) ＋5V电源线与地线交换 【答】：A 【析】：如果D1和D5交换，虽然数据存入时出现错误，但是数据读出时，可以按照错误的方式读取，所以会得到正确的数据。这题老师上课详细讲过，不再多说。 如果还有不懂的问题，欢迎在评论区留言~ print ("记得点赞") # python |
比如说老师PPT上的这道题，很显然C是高位，而在笔者做过的习题和卷子上，也都按照C是高位来出题，所以小伙伴们不要再弄混啦！【本文地址】
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