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目录

前言

本书的表示及使用方法

第1章 俯瞰功率半导体全貌/

1.1作为电子零件的半导体设备的定位/

什么是电子零件？/

可高速开关的半导体器件/

1.2半导体设备中的功率半导体/

导体设备和世界趋势/

功率半导体是幕后英雄/

半导体中的功率半导体/

1.3功率半导体的应用/

家中的例子/

什么是变频器控制？/

1.4将功率半导体比作人/

功率半导体扮演的角色/

什么是电力的转换？/

1.5晶体管结构的差异/

一般的MOSFET/

功率MOSFET/

晶体管的区别/

俯视晶体管结构/

第2章 功率半导体的基础知识及运作/

2.1半导体的基础知识和运作/

什么是半导体？/

固体中载流子的移动/

载流子置入/

2.2关于pn结/

为什么需要硅呢？/

pn结是什么？/

正向和反向偏压/

2.3晶体管的基本知识及操作/

开关是什么？/

晶体管是什么？/

2.4双极晶体管的基本知识和操作/

什么是双极晶体管？/

双极晶体管的原理/

双极晶体管的连接/

2.5MOS型二极管的基础知识和操作/

MOS型是什么？/

半导体设备各部分的功能/

MOS型二极管的作用和开/关操作/

2.6回顾半导体的历史/

半导体的起源/

功率半导体早期扮演的角色/

从汞整流器到硅整流器/

从硅到下一代材料/

2.7功率MOSFET的出现/

应对高速开关的需求/

MOSFET是什么？/

双极晶体管和MOSFET的比较/

2.8双极和MOS的融合/

IGBT出现之前/

IGBT的特征/

2.9与信号转换的比较/

什么是信号的转换？/

CMOS反相器的操作/

第3章 各种功率半导体的作用/

3.1单向导通的二极管/

二极管与整流作用/

二极管的实际整流作用/

整流作用的原理/

3.2大电流双极晶体管/

双极晶体管是什么？/

为什么需要高速开关/

双极晶体管原理/

双极晶体管的操作点/

3.3双稳态晶闸管/

晶闸管是什么？/

晶闸管的原理/

什么是双向晶闸管？/

GTO晶闸管的出现/

晶闸管的应用/

3.4高速运行的功率MOSFET/

MOSFET的工作原理/

功率MOSFET的特征是什么？/

MOSFET的各种构造/

3.5节能时代的IGBT/

IGBT出现的背景/

IGBT的工作原理/

水平IGBT的例子/

IGBT面临的挑战/

3.6探索功率半导体的课题/

导通电阻是什么？/

耐受电压是指什么？/

硅的极限在哪里？/

第4章 功率半导体的用途与市场/

4.1功率半导体的市场规模/

功率半导体的市场/

进入功率半导体市场的企业/

日本企业里实力雄厚的功率半导体部门/

4.2电力基础设施和功率半导体/

电网与功率半导体/

实际使用情况/

功率半导体在工业设备中的应用/

4.3交通基础设施和功率半导体/

电力机车与功率半导体/

实际的电力转换/

N700系列使用IGBT/

混动机车的出现/

4.4汽车和功率半导体/

电动车的出现与功率半导体/

功率半导体的作用/

降压/升压是什么？/

4.5信息、通信和功率半导体/

IT时代与功率半导体/

实际发生的动作/

4.6家电与功率半导体/

什么是IH电磁炉？/

功率半导体用于何处？/

LED照明与功率半导体/

第5章 功率半导体的分类/

5.1根据用途分类的功率半导体/

功率半导体是非接触式开关/

功率半导体的广泛用途/

5.2根据材料分类的功率半导体/

功率半导体与基底材料/

对宽隙半导体的需求/

5.3按结构和原理分类的功率半导体/

按载流子种类的数量分类/

按结的数量分类/

按端口数量和结构分类/

5.4功率半导体的容量/

什么是功率半导体的额定值？/

功率半导体的电流容量和击穿电压/

第6章 用于功率半导体的硅晶圆/

6.1硅晶圆是什么？/

硅的质量是功率半导体的关键/

硅晶圆/

高纯度多晶硅/

6.2不同的硅晶圆制造方法/

硅晶圆的两种制造方法/

Chokoralsky法/

浮动区法/

6.3与存储器和逻辑电路不同的FZ结晶/

实际的FZ硅晶体制造方法/

FZ结晶的大直径化/

6.4为什么需要FZ晶体？/

偏析是什么？/

FZ法在控制杂质浓度方面的优势/

FZ硅晶圆的挑战/

大直径化发展到什么程度了？/

6.5硅的极限是什么？/

硅的极限/

原则上耐压性决定硅的极限/

第7章 硅功率半导体的发展/

7.1功率半导体的世代/

功率半导体的世代是什么？/

减少电力损失是指什么？/

7.2对IGBT的性能要求/

MOSFET的缺点/

IGBT的世代交替/

7.3穿透型和非穿透型/

穿透型是什么?/

非穿透型是什么？/

7.4场截止型（Field Stop）的出现/

场截止型的制造过程/

7.5探索IGBT类型的发展/

从平面型到沟槽型/

更进一步的IGBT发展/

7.6逐渐IPM化的功率半导体/

功率模块是什么？/

IPM是什么？/

7.7冷却与功率半导体/

半导体与冷却/

各种各样的冷却措施/

第8章 挑战硅极限的SiC和GaN/

8.1直径可达6英寸的SiC晶圆/

SiC是什么？/

SiC出现在功率半导体之前/

拥有不同结晶的SiC/

其他SiC特性/

8.2SiC的优点和挑战/

SiC的优点/

SiC的FET结构/

许多挑战/

8.3朝着实用化发展的SiC变频器/

SiC的应用/

8.4GaN晶圆的难点：什么是异质外延？/

GaN是什么？/

如何制造GaN单晶？/

8.5GaN的优势和挑战/

设备的挑战是多方面的/

其他课题/

8.6GaN挑战常闭型/

盖子必须关好/

常闭型的优点是什么？/

常闭型对策/

GaN的魅力/

8.7晶圆制造商的动向/

成本挑战/

SiC晶圆业务日新月异/

GaN晶圆的动向/

第9章 功率半导体制造过程的特征/

9.1功率半导体与MOS LSI的区别/

功率半导体要使用整个晶圆吗？/

先进的逻辑电路在晶圆的顶部堆叠/

不同结构的电流流动/

晶体管结构的垂直视图/

9.2结构创新/

丰富多彩的MOSFET结构/

V形槽的形成方法/

形成U形沟槽的方法/

用于功率半导体的独特结构/

9.3广泛使用外延生长/

什么是外延生长？/

外延生长装置/

9.4从背面和正面的曝光过程/

背面曝光的必要性/

什么是回流二极管？/

背面曝光装置/

9.5背面的活性化/

容易被误解的杂质浓度/

杂质活化的例子/

激活的概念/

激活装置的例子/

9.6什么是晶圆减薄工艺？/

晶圆减薄/

什么是背面研磨？/

什么是斜面加工？/

9.7后端和前端流程之间的差异/

什么是后端工艺？/

后端处理中的品控/

后端处理流程是否有区别？/

9.8切片也略有不同/

切片是什么？/

用于SiC的切片设备/

......

来源：金粉商城返回搜狐，查看更多