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作者：

颜改革，韩敬宁，殷志富，邹赫麟

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摘要：

文中研究了贯穿刻蚀硅基直壁沟槽及沟槽底部SiO2薄膜过刻蚀的深反应离子刻蚀(DRIE)工艺过程.首先,研究了DRIE刻蚀钝化时间比(T(SF6):T(C4F8))对硅刻蚀形貌的影响.通过工艺参数优化,采用刻蚀钝化时间比分别为9 s/2 s,11 s/2 s(C4F8)下电极射频功率为40 W)和11 s/2 s(C4F8下电极射频功率为0 W)的三步刻蚀工艺,贯穿刻蚀了宽度为150μm,深度为300μm的直壁沟槽.其次,研究了C4F8(八氟环丁烷)钝化气体对SiO2薄膜过刻蚀的现象,采用降低C4F8下电极射频功率方法,减小了C4F8对SiO2薄膜过刻蚀.

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关键词：

深反应离子刻蚀 刻蚀钝化时间比 射频功率 黑硅 SiO2 薄膜

DOI：

10.3969/j.issn.1002-1841.2015.11.001

年份：

2015