电感耦合等离子体刻蚀ICP |
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一、电感耦合等离子体刻蚀ICP 产品介绍: 1. 兼容200mm以下所有尺寸的晶圆,快速更换到不同尺寸的晶圆工艺 2. 电极的适用温度范围宽,-150°C至400°C 3. ICP源尺寸为65mm,180mm,300mm 4. 应用方向: (1) III-V族材料的刻蚀工艺 (2) 固体激光器InP刻蚀 (3) VCSEL GaAs/AlGaAs刻蚀 (4) 射频器件低损伤GaN刻蚀 (5) 硅 Bosch和超低温刻蚀工艺 (6) 类金刚石(DLC)沉积 (7) 二氧化硅和石英刻蚀 (8) 用特殊配置的PlasmaPro FA设备进行失效分析的干法刻蚀解剖工艺,可处理封装好的芯片、 裸晶片以及200mm晶圆 (9) 沉积高质量的PECVD氮化硅和二氧化硅薄膜,用于光子学、电介质层、钝化等诸多其它用途 (10) 用于高亮度LED生产的硬掩模沉积和刻蚀 二、电感耦合等离子体刻蚀ICP 企业简介: 深圳市矢量科学仪器有限公司是集半导体仪器装备代理及技术服务的高新技术企业。 致力于提供半导体制程工艺装备、后道封装装备、半导体分析测试设备、半导体光电测试仪表及相关仪器装备维护、保养、售后技术支持及实验室整体服务。 公司已授实用新型权利 29 项,软件著作权 14 项,是创新型中小企业、科技型中小企业、规模以上工业企业。 |
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