对于BJT，在基极和发射极之间有一个PN结。箭头指示结的顺序（基极到发射极或发射极到基极）。NPN具有堆叠的N，P和N掺杂通道。PN结（在基极和发射极之间）从中心向外延伸。PNP同样是相反的。

观察，不一定是事实：

在MOSFET中，主体通常连接到源极。对于N沟道MOSFET，源极是N掺杂的，而主体是P掺杂的，因此箭头从源极指向主体。同样，P沟道MOSFET具有相反的条件。有趣的是，维基百科上的符号“无体积/主体的MOSFET”具有相反的箭头方向。我没有很好的解释为什么会这样，尽管我怀疑它可能遵循类似的模式，并且半导体拓扑结构与“传统” MOSFET拓扑结构不同。

您的b（FET）符号是JFET符号。在这里，PN结在栅极和“主体”之间（连接漏极和源极的半导体部分；我不知道JFET的这一部分的正确之处是什么，所以我称其为主体，因为它占用了体积） JFET）。对于N沟道，栅极是P掺杂的，而主体是N掺杂的，因此箭头从栅极指向内部。P沟道JFET相反，因此箭头指向栅极之外。

我从未使用过单结晶体管（案例d），但查看维基百科页面显示的掺杂结构与JFET类似，唯一的区别是缺少绝缘栅（名称也已更改，显然它遵循“ BJT”类型）基极和发射极的命名）。如果箭头方向约定遵循PN结的顺序，我不会感到惊讶（对于我来说，这不是Wikipedia上示例结构所用的类型）。

附加信息：

双极结型晶体管

场效应管

场效应管

单结晶体管