二极管的击穿通常有三种情况:雪崩击穿、齐纳击穿和热击穿。

PN结反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿，一般两种击穿同时存在。对于齐纳管来说,两者的区别主要是：电压低于5－6V的齐纳管，齐纳击穿为主，稳压值的温度系数为负；电压高于5－6V的齐纳管，雪崩击穿为主，齐纳管的温度系数为正；电压在5－6V之间的齐纳管，两种击穿程度相近，温度系数最好，这就是为什么许多电路使用5－6V齐纳管的原因。

对于掺杂浓度较低的PN结，结较厚，当外加反向电压高到一定数值时，因外电场过强，使PN结内少数载流子获得很大的动能而直接与原子碰撞，将原子电离，产生新的电子空穴对，由于链锁反应的结果，使少数载流子数目急剧增多，反向电流雪崩式地迅速增大，这种现象叫雪崩击穿。雪崩击穿通常发生在高反压、低掺杂的情况下。稳定电压VZ>7V的属于雪崩击穿。

对于采用高掺杂（即杂质浓度很大）形成的PN结，由于结很薄，即使外加电压并不高（如4V），就可产生很强的电场将结内共价键中的价电子拉出来，产生大量的电子一空穴对，使反向电流剧增，这种现象叫齐纳击穿。齐纳击穿一般发生在低反压、高掺杂的情况下。稳定电压低 （VZ