1.一种二氧化硅系被膜形成用组合物，其中，含有硅氧烷聚合物和碱金属 化合物。2.根据权利要求1所述的二氧化硅系被膜形成用组合物，其中，所述硅氧 烷聚合物是下述通式(1)所示的化合物中的至少一种物质的水解缩合物，RnSiX4-n    (1)式中，R表示H或者1价的有机基，X表示水解性基团，n表示0-2 的整数，多个R可以相同也可以不同，多个X可以相同也可以不同。3.根据权利要求1所述的二氧化硅系被膜形成用组合物，其中，所述碱金 属化合物的加入量相对于硅氧烷聚合物为0.0001-100wt％。4.根据权利要求1所述的二氧化硅系被膜形成用组合物，其中，所述碱金 属化合物是选自钠、锂、钾、铷和铯的至少一种碱金属的化合物。5.根据权利要求1所述的二氧化硅系被膜形成用组合物，其中，所述碱金 属化合物是选自碱金属的硝酸盐、硫酸盐、碳酸盐、氧化物、氯化物、 溴化物、氟化物、碘化物、氢氧化物的任何一种。6.一种二氧化硅系被膜形成用组合物，其中，含有硅氧烷聚合物、碱金属 化合物和空穴形成用材料。7.根据权利要求6所述的二氧化硅系被膜形成用组合物，其中，所述硅氧 烷聚合物是下述通式(1)所示的化合物中的至少一种物质的水解缩合物，RnSiX4-n    (1)式中，R表示H或者1价的有机基，X表示水解性基团，n表示0-2 的整数，多个R可以相同也可以不同，多个X可以相同也可以不同。8.根据权利要求7所述的二氧化硅系被膜形成用组合物，其中，所述通式 (1)所示的化合物至少包含所述通式(1)中n＝0的化合物。9.根据权利要求6所述的二氧化硅系被膜形成用组合物，其中，所述碱金 属化合物的加入量相对于硅氧烷聚合物为1-1000000ppm。10.根据权利要求6所述的二氧化硅系被膜形成用组合物，其中，所述碱 金属化合物是选自钠、锂、钾、铷和铯的至少一种碱金属的化合物。11.根据权利要求6所述的二氧化硅系被膜形成用组合物，其中，所述碱 金属化合物包含铷化合物或铯化合物。12.根据权利要求6所述的二氧化硅系被膜形成用组合物，其中，所述碱 金属化合物是选自碱金属的硝酸盐、硫酸盐、碳酸盐、氧化物、氯化物、 溴化物、氟化物、碘化物、氢氧化物的任何一种。13.根据权利要求6所述的二氧化硅系被膜形成用组合物，其中，所述空 穴形成用材料是选自聚亚烷基二醇及其末端烷基化物的一种以上。