答案: 正确 分析：由于运算放大器的开环电压增益近似无穷大，而输出是有限值，导致输入线性区很窄，无法满足输入信号幅值范围要求，通过引入负反馈来解决这个问题。

13、 在线性运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。

答案: 错误 分析：在同相放大电路中，运放的反相输入端不是虚地。

14、 集成运放在开环情况下一般都工作在非线性区。

答案: 正确 分析：由于集成运算放大器的开环增益近似为无穷大，因此开环情况下，线性区很窄，一般的输入信号都会使运放的输出进入饱和区。

15、 放大电路中的运算放大器只要是理想的，就一定存在虚短和虚断。

答案: 错误 分析：电路还必须工作在线性区才行。

16、 电压跟随器的电压增益为1，所以其对信号放大没有贡献。

答案: 错误 分析：由于实际增益与放大电路的输入电阻和输出电阻有关，而电压跟随器的输入电阻趋于无穷大，输出电阻趋于零，从而对实际增益做出贡献。利用输入输出电阻特性，电压跟随器常用作隔离器和缓冲器。

1、 半导体中空穴的移动实际上反映了半导体中 的移动。

答案: 共价键中价电子

2、 N型半导体中的多数载流子是 ，而P型半导体中的多数载流子是 。

答案: 自由电子，空穴

3、 PN结内电场方向是由 。

答案: N区指向P区

4、 PN结正偏是指 。

答案: P区电位高于N区

5、 二极管正偏时应重点关注 ，反偏时应重点关注 。

答案: 导通电流和耗散功率，最大反向电压

6、 齐纳二极管正常稳压时，工作在 状态。

答案: 反向击穿

7、 点亮发光二极管应加 ，光电二极管正常工作时应加 ，变容二极管正常工作时应加 。

答案: 正偏电压，反偏电压，反偏电压

8、 已知某二极管处于正向导通状态，其导通电流为0.5 mA，那么，此时二极管在室温（300K）下的小信号模型参数rd = 。

答案: 52 Ω

9、 设简单硅二极管基本电路如图所示，已知R = 1kW。当VDD =10V时，分别应用理想模型和恒压降模型，求得的电流ID分别为 和 ；当VDD =1V时，再分别应用理想模型和恒压降模型，求得的电流ID分别为 和 。

答案: 10mA，9.3mA； 1mA，0.3mA

10、 12V电池的充电电路如图所示，用二极管理想模型分析，若vs是振幅为24V的正弦波，则二极管流过的峰值电流为 ，二极管两端的最大反向电压为 。

答案: 120mA，36V

11、 电路如图所示，若vs是有效值为220V的正弦波电压，RL = 100W，二极管采用理想模型分析，则二极管的最高反向工作电压为 ，整流电流应为 。

答案:

12、 电路如图所示，D1，D2为硅二极管，当vs = 6sinwt V时，用恒压降模型分析电路时，输出电压vO的波形是 。

答案:

13、 二极管电路如图所示。输入电压只有0V或5V两个取值。利用二极管理想模型分析，在vI1和vI2电压的不同组合情况下，输出电压vO的值是 。

答案: vO的b列

14、 电路如图所示，D为硅二极管，若VDD = 2 V，R = 1 kW，正弦信号vs=50sin(2p´50t) mV。则静态（即vs= 0）时，二极管中的静态电流为 ，vO的静态电压 ；动态时，vO的交流电压振幅为 。

答案: 1.3mA，1.3V；0.049V

15、 稳压电路如图所示。若VI =10V，R =100W，齐纳二极管的VZ =5V，IZ(min)=5mA，IZ(max)=50mA，那么负载RL的变化范围是 。

答案: 大于111W

16、 半导体二极管温度升高时，将明显增大由本征激发出的少数载流子的浓度，因此对二极管反向截止特性会产生更明显的影响。

答案: 正确 分析：由于反向截止特性主要与少数载流子有关，所以受影响最明显。

17、 对于实际的二极管，只要正偏电压大于零，二极管就导通。

答案: 错误 分析：对于实际的二极管，一般门槛电压都不是零，因此必须满足正偏电压大于这个门槛电压，二极管才会导通。

18、 二极管简化模型将二极管的I-V非线性特性近似成了线性或分段线性的关系。

答案: 正确 分析：引入二极管简化模型的目的就是要将原本非线性关系简化为线性关系，以便用较简单的线性电路分析方法来分析二极管电路。

19、 通常硅二极管的反向饱和电流小于锗二极管的反向饱和电流，正向管压降低于锗二极管的正向管压降。

答案: 错误 分析：通常硅二极管的正向导通压降大于锗二极管的正向压降。

20、 在使用齐纳二极管时，必须加限流电阻。

答案: 正确 分析：使用齐纳二极管稳压时，输入电压一般大于齐纳二极管的稳定电压，必须串接限流电阻，以便控制二极管中的电流不超过最大允许电流。

21、 电路如图所示，若vs是有效值为220V的正弦波电压，RL = 100W，二极管采用理想模型分析，则二极管的最高反向工作电压为 ，整流电流应为 。

答案:

22、 电路如图所示，D1，D2为硅二极管，当vs = 6sinwt V时，用恒压降模型分析电路时，输出电压vO的波形是 。

答案:

23、 由于反向截止特性主要与少数载流子有关，所以受影响最明显。

答案: 正确 分析：由于反向截止特性主要与少数载流子有关，所以受影响最明显。

1、 场效应管利用外加电压产生的_来控制漏极电流的大小，因此它是_控制器件。

答案: 电场，电压

2、 N沟道场效应管的漏极电流由_的漂移运动形成。

答案: 电子

3、 P沟道增强型MOS管的栅源开启电压是__。

答案: 负值

4、 一个MOS场效应管的转移特性如图所示（其中漏极电流iD的方向是它的实际方向），它是_场效应管。

答案: P沟道增强型

5、 在共源、共漏和共栅三种放大电路组态中，_放大电路电压增益小于1但接近于1，输入输出电压同相，有电压跟随作用；_放大电路电压增益较高，输入输出电压反相；__放大电路输入输出电压同相，有电流跟随作用；__放大电路输出电阻小；_放大电路输入电阻小。

答案: 共漏，共源，共栅，共漏，共栅

6、 用两个放大电路A和B分别对同一个电压信号进行放大。当输出端开路时，A和B的输出电压相等；当都接入负载电阻RL时，测得A的输出电压小于B的输出电压，由此说明，电路A的输出电阻比电路B的输出电阻__。

答案: 大

7、 在图示电路中，已知各MOS管的çVT ç=0.5V，MOS管处于截止状态的电路是_。

答案: 图（b）

8、 当栅源电压为0V时，_MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。

答案: N沟道耗尽型

9、 试分析图示各电路，能正常放大交流信号的电路是__（设各电容对交流信号的容抗可忽略）。

答案: 图（b）

10、 设图(a)电路中各电容很大对交流信号均可视为短路，则其小信号等效电路为_。

答案: 图（d）

11、 已知电路参数如图(a)所示，FET工作点上的互导gm＝1mA/V，设rds＞＞Rd，则该电路的小信号等效电路是_，电压增益为_，输入电阻为_。

答案: 图(b)，-3.3，2075 kW

12、 电路如图所示。设电流源电流I＝0.5mA、VDD＝VSS＝5V，Rd＝9kΩ，CS很大，对信号可视为短路。场效应管的VT＝0.8V，Kn＝1，l = 0。则场效应管的gm » _，电路的小信号电压增益约为 _ 。

答案: 1.42 mA/V，-12.78

13、 源极跟随器电路如图所示，场效应管参数为Kn＝1，VTN＝1.2/V，l=0。电路参数为VDD＝VSS＝5V，Rg＝500kΩ，RL＝4kΩ。若电流源I=1mA，则小信号电压增益约为_，输出电阻约为_。

答案: 0.89，0.5kW

14、 图示电路参数为I＝0.5mA，VDD＝VSS＝5V，Rg＝100 kΩ，Rd=10kΩ， Rsi＝1kΩ。场效应管参数为VTN＝1V，Kn＝0.5，λ＝0。那么电路的输入电阻约为_，源电压增益Aυs＝υo/υs =___，输出电阻约为_。

答案: 1 kW，5，10kW

15、 放大电路的静态是指输入端短路时的状态。

答案: 错误 分析：放大电路的静态指的是输入信号为零时的状态。准确地说，当信号源是电压源时，是将电压信号源短路，但保留其内阻；如果信号源是电流源，则是将电流信号源开路，同样也要保留其内阻。

16、 小信号模型中所研究的电压、电流都是变化量，因此，不能用小信号模型来求静态工作点Q，模型参数大小也与Q点位置无关。

答案: 错误 分析：不能用小信号模型来求静态工作点Q是对的，但是小信号模型的参数和直流工作点的位置密切相关，直流工作点不同，模型参数就会不同。

17、 在组合放大电路中，它的输入电阻就是第一级放大电路的输入电阻，而放大电路的输出电阻等于最后一级（输出级）的输出电阻。

答案: 正确 分析：组合放大电路的输入电阻就由第一级放大电路的输入电阻决定，而放大电路的输出电阻等于最后一级（输出级）的输出电阻。

18、 MOSFET放大电路的三种组态中只有共源电路有功率放大作用。

答案: 错误 分析：MOSFET是有源器件，MOSFET放大电路在输入信号控制下，将直流电源的功率转换为有效的输出功率，所以不管是哪种组态的放大电路，都有功率放大作用。

19、 作为放大器件工作时，耗尽型N沟道MOSFET的栅源电压能用正向偏置。

答案: 正确 分析：耗尽型N沟道MOSFET的栅源电压可正可负，也可以为零，都能保证器件工作于放大区。

20、 MOSFET的低频跨导gm是一个常数。

答案: 错误 分析：MOSFET的低频跨导gm是表征MOS管的栅源电压对漏源电流的控制能力，是MOSFET的动态参数，但是受到直流工作点的影响，直流工作点不同时，低频跨导的值就不同。

21、 增强型MOS管工作在饱和区（放大区）时，其栅源电压必须大于零。

答案: 错误 分析：N沟道增强型MOS管工作于饱和区时，其栅源电压必须为正值，而P沟道增强型MOS管工作于饱和区时，其栅源电压必须为负值。

22、 场效应管仅靠一种载流子导电。

答案: 正确 分析：N沟道场效应管沟道中只有自由电子，P沟道场效应管沟道中只有空穴，因此场效应管也称为单极性器件。

23、 设MOS管的VTN＝1V，当测量到它在电路中的电压值为：VDS＝3V，VGS＝2V时，可以断定该MOS管工作在饱和区。

答案: 正确

分析：MOSFET的VTN=1V，且漏源电压为正值，所以管子为N沟道增强型，VGS=2V>VTN=1V，因此管子已经开启，VGS-VTN=2V-1V=1V，而VDS>VGS-VTN，因此管子工作于饱和区。

24、 设MOS管的VPN＝-2V，当测量到它在电路中的电压值为：VDS＝3V，VGS＝-1V时，可以断定该MOS管工作在饱和区。

答案: 正确 分析：由给定参数VPN=-2V和漏源电压为正值，可知管子为N沟道耗尽型管子，VGS=-1V>VPN=-2V，管子已开启，而漏源电压VDS＝3V>VGS-VPN＝-1+2=1V，因此管子工作于饱和区。

25、 设MOS管的VTP＝-1V，当测量到它在电路中的电压值为：VDS＝-3V，VGS＝-2V时，可以断定该MOS管工作在截止区。

答案: 错误 分析：由题目给定条件，VTP=-1V和漏源电压为负值，可知该管子为P沟道增强型管子，VGS