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三星電子推出業界首款512GB CXL記憶體模組
24.05.2022
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*此為全球發布中譯新聞稿,實際產品上市資訊依各市場公告版本為準*
全球先進記憶體技術領導品牌三星電子,宣布成功開發業界首款512GB CXL(Compute Express Link)DRAM,為CXL商轉邁出重要步伐,實現未來IT系統的超高記憶體容量和低延遲表現。
三星自2021年5月推出業界首款配備現場可程式化邏輯閘陣列(Field Programmable Gate Array, FPGA)的CXL DRAM原型機以來,長期與數據中心、企業伺服器、晶片組供應大廠密切合作,埋首開發改良的客製化CXL裝置。
新型CXL DRAM以特殊應用積體電路(ASIC)CXL控制器建構,並首次封裝512GB DDR5 DRAM,其記憶體容量為前一代Samsung CXL產品的四倍,系統延遲則降至五分之一。
三星電子記憶體全球業務行銷副總裁、身兼CXL聯盟總監的Cheolmin Park表示:「隨著三星積極擴大CXL DRAM於新世代記憶體架構中的應用,包括軟體定義儲存(SDM);以及人工智慧(AI)、大數據服務的大躍進,都將助力CXL DRAM成為未來運算架構的關鍵轉捩點。三星將持續密切攜手業界,共同開發和標準化CXL記憶體解決方案,促進生態系的健全發展。」
Lenovo 基礎架構解決方案事業群技術長Greg Huff表示:「身為CXL聯盟的活躍成員,Lenovo致力開發此項重要標準,協力打造以新型CXL互聯技術為核心的生態系。而身為三星CXL開發計劃的一員,我感到十分榮幸,並將於未來Lenovo系統中的CXL創新產品內,注入成長與應用的動力」。
Montage 科技策略技術副總裁Christopher Cox談到:「CXL為一項關鍵技術,其能藉由更創新的方式管理記憶體擴充和池化,於新世代伺服器平台中扮演十分重要的角色。Montage非常高興持續與三星合作,推動CXL生態系的迅速擴展。」
近年來,隨著元宇宙、人工智慧和大數據的蓬勃發展,產生數據量呈現爆炸性成長。然而,受限於傳統的DDR設計架構,記憶體的容量擴充難以達到10TB等級,因此需要如CXL全新記憶體的介面技術。
CXL和主記憶體共用的龐大記憶體池,使伺服器得以擴充記憶體容量至10TB等級,同時將頻寬增加至每秒數TB。
三星推出的512GB CXL DRAM為首款支援PCIe 5.0介面的記憶體裝置,並將採用EDSFF(E3.S)尺寸規格,特別適合新世代高容量企業伺服器和數據中心。
本月下旬,三星將公佈其開源可擴展記憶體開發套件(Scalable Memory Development Kit,SMDK)的更新版本。該全方位軟體套件,能使CXL記憶體擴展器於異構記憶體系統中順暢運作,因此系統開發人員可輕鬆將CXL記憶體導入AI、大數據和雲端應用程式等各式IT系統,無須修改現有的應用環境。
今年第三季起,三星將開始提供客戶和合作夥伴512GB CXL DRAM樣品,聯合進行評估和測試,並隨著新一代伺服器平台的推出,為記憶體的商轉化做好準備。身為CXL聯盟的理事會成員,三星將於開發新世代介面技術上,與眾多的全球數據中心、伺服器和晶片組供應大廠展開開放式合作,為IT產業創造實質助益。
TAGSAI ComponentsBig DataCXL DRAMSMDK 產品 > 半導體 新聞中心 > 新聞稿 下載 CXL-Memory_main1.jpg CXL-Memory_main2.jpg CXL-Memory_main3.jpg CXL-Memory_main4-2.jpg 三星電子推出業界首款512GB-CXL記憶體模組.pdf 相關文章 三星首創業界CXL記憶體平台專用的開放原始碼軟體解決方案 三星發表業界首款支援最新CXL規範的記憶體模組關於消費者服務相關詢問,請洽三星客服專線 : 0800-32-9999 任何媒體需求及詢問,請聯繫 [email protected]. 了解更多關於三星最新新聞 了解更多 |
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