三星在今年7月发布的850Pro系列SSD上首次使用了3D V-NAND的MLC闪存，其实当时就知道三星迟早会出用3D V-NAND TLC的850 EVO，等了5个月后它终于来了。

三星850 EVO采用白色的包装，上面的“3D V-NAND”非常显眼

包装内的所有东西：SSD硬盘、软件光盘、两本说明书

三星850 EVO有120、250、500、1TB四个容量，比840 EVO少了750GB，120GB的最大写入性能比上一代提升了很多，看得出TurboWrite的工作效率提升了 ，此外连续写入速度每个容量都有不同程度的提升，闪存性能应该也有所提升。

500GB以下用的是新的MGX主控，1TB用的还是旧的MEX主控，这个MGX主控有什么改善目前还不太清楚，三星并没有公布新主控的任何信息。

850 EVO的质保时间从之前的3年提升到5年，而三星提高质保时间所依赖的也是V-NAND技术带来的可靠性提升，之前840 Evo的120GB、250GB型号数据写入寿命只有44TB，现在提高到了75TB，500GB及1TB版还可以达到150TB，可靠性大大提高。

840 EVO是灰底黑字而850 EVO则变成了黑底灰字

SSD背面照片

由于3D V-NAND闪存的密度大，用两颗闪存就凑够了256GB的容量，PCB面积非常小，此外850EVO除了1TB的用的是旧的MEX主控外，其他的都是用全新的MGX主控，三星表示新主控优化了SSD的性能，特别是低容量下的随机性能。

850 EVO 120GB与250GB都是用这块PCB，250GB的有两颗闪存，而120GB的只有一颗闪存，更大容量的版本会使用更大的PCB。

所有容量的850 EVO用的都是这颗K90KGY8S7C闪存，它使用的40nm TLC V-NAND闪存是三星第二代V-NAND，堆叠层数32层，Die Size 128Gbit，其实三星第二代V-NAND闪存全部都是TLC，之前850 Pro用的第二代40nm MLC V-NAND其实就是让TLC模拟成MLC来使用，所以才有了86Gbit这奇怪的Die Size。

关于3D V-NAND其实在我们的256GB SSD横评文章中就有详细介绍，下面简单介绍一下。

三星的V-NAND放弃了传统的浮栅极MOSFET，改用自家的电荷撷取闪存（charge trap flash，简称CTF）设计。每个cell单元看起来更小了，但是里面的电荷是储存在一个绝缘层而非之前的导体上的，理论上是没有消耗的。这种看起来更小的电荷有很多优点，比如更高的可靠性、更小的体积，不过这些还只是其中的一部分，V-NAND因为消耗少而具备了很强的P/E擦写寿命，第一代V-NAND号称35000次P/E，几乎达到了SLC闪存的水平，是MLC闪存的2-10倍。

最新版的Magician已经支持850 EVO了，大家可以在软件中开启RAPID功能帮SSD提速，RAPID其实就是利用可用内存空间来充当SSD的读写缓存，这样就可以让SSD的读写能力得到大幅度提升，但是因为缓存文件命中率的问题实际作用比较微妙。