在原文的基础上，文章最后增添了SOT封装的检测，例如NPN、PNP、NMOS、PMOS步骤与原文类似（需要掌握GSD，BEC具体对应的位置）。 以NMOS举例，只用万用表二极管档测量MOS管的好坏。 NMOS的D极和S极之间有一个寄生二极管，方向为S到D，利用二极管单向导电性以及MOS管导通时寄生二极管截止的特性，可以快速测量MOS好坏。

1、测量之前将MOS的3个极短接，可以用一根铁丝，泄放MOS管内部电荷，确认MOS管是关闭状态。 短接释放电荷确保MOS截止

2、将万用表调至二极管档，将红表笔接在MOS的S极，黑表笔接在D极，这时寄生二极管是导通状态，万用表会显示电压值，一般是0.4V~0.9V之间（不同的MOS会有所差异）。

3、将黑表笔接在S极，红表笔接在D极，寄生二极管是截止状态，万用表会显示1，相当于开路。

（1）第2步和第3步万用表都显示一定的电压值，代表MOS管D和S已经击穿损坏。 （2）第2和第3步万用表都显示1，代表MOS管寄生二极管开路损坏。

4、万用表红表笔和黑表笔之间有一定的电压，可以将红表笔接在MOS管的G极，黑表笔接在S极，并维持一段时间（给Cgs电容充电，确保MOS有一定的导通），然后再重复第3步，这时万用表也会显示电压值，但接近于0，因为此时DS导通寄生二极管截止。

5、重复第1步，释放电荷，让NMOS处于截止状态，再重复第3步，万用表再次显示1，代表寄生二极管截止。

6、将万用表调至蜂鸣器档或者电阻档，将红表笔接在MOS的G极，黑表笔接在S极，蜂鸣器不会响，GS阻抗比较大，代表GS没有击穿损坏。

只要6步就可以测试MOS管好坏。文章截图主要来源于维安电子的PMOS管WMS14P03T1，主要参数：Vds=-30V，ID=-14A，SOP-8L封装。

S9013 NPN

S9012 PNP