Et-HPMO的合成是使用单分散的SiO2纳米球作为硬模板，通过一个简单有效的一步路线而实现的。首先，通过典型的Stober法制备单分散的SiO2纳米球，图 4(a)清楚的表明其形貌和尺寸分布都非常的均一，平均尺寸约为230 nm。图 4(b)SEM照片表明Et-HPMO纳米球分散性依然很好，甚至可以观察到一些破碎的纳米球(黑色箭头所指)，这进一步证明了所得到的Et-HPMO材料是中空结构的，平均尺寸为285 nm，比纳米SiO2模板尺寸增加了约50 nm。从图 5(a)中我们可以清楚的观察到SiO2纳米球的TEM尺寸也约为230 nm左右，从图 5(b)可以看出每个Et-HPMO球都是中空的，其平均尺寸约为300 nm，同时，每个中空球都包含一个均一的70 nm Et-PMO壳，其中空空腔为230 nm，大小正好接近于SiO2纳米球的粒径。另外，与通过传统的包覆-腐蚀法制备的其他中空介孔材料不同，所得的Et-HPMO纳米球的空腔都是非常干净的，没有残留任何碎片。同时，从图 5(c)高倍TEM照片中可以看到Et-PMO的介孔孔道是高度有序的，并且垂直于球的表面，类似于MCM-41的六方孔道阵列，这种有序发散式介孔孔道能够为客体分子提供快速的传质速率，将会在吸附和催化上有着很大的应用前景。