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STM32操作访问flash,包括写入数据到flash和从flash读取数据
口袋里のInit: 有几个疑问: 1. 攃的输入地址必须按页对齐,并且一擦就是一页,分两次操作一个page,岂不是第二次就把第一次的又擦掉了? 2. 写函数里,循环次数*单次写入字节数 != 总字节数,半字写入,为什么循环里自加1,又不是写一个字节; 3. 写入数据,能否是任意地址和任意长度, 即写入起始地址是奇数?因为你不能确保用你接口的工程师数据正好必须是偶数。 STM32内存大小与地址的对应关系以及计算方法qq_48211392: 您好,楼主的文章中有一点我不太清楚。我认为Flash Memory最大内存 = 地址差+1,因为起始地址0x08000000也可以存储一个字节,所以计算公式为2^16(0x00010000)+2^16-1(0x0000FFFF)+1 = 2^17; MDK常见错误记录wV587666666: 试过了,错误数量没有减少,而且错误数量是344 STM32操作访问flash,包括写入数据到flash和从flash读取数据有意思科技: 想请教一个问题,有两片BANK的时候,写flash的时候,需不需要关闭所有的中断啊? STM32操作访问flash,包括写入数据到flash和从flash读取数据the_killing_jar: WriteFlashData每次写入都会擦出整页,那不就表示写同一页的不同地址,会将之前写入的擦除掉? |
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