cadence virtuoso MOS管IV特性仿真 |
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仿真工具:Cadence virtuoso 6.17 工艺库:中芯国际simc_18mmrf 仿真案例:MOS管IV特性仿真 一、建立设计库和Cell 库和cell可以随意起名字(字母,数字与下划线)
二、画原理图,添加仿真器件,使用快捷键 “i”,从库中选择一个NMOS管,这里用的是simc18mmrf工艺库,选择n18 使用“i”,选择analogLib工艺库,选择vdc,gnd。 使用快捷键“w”,连线。选中元器件,使用快捷键“q”,编辑属性,分别给V0、 V1添加DC电压设置变量vgs和vds. 保存并检查是否有错, 三、点击Launch->ADE L设置仿真参数 在○1右键选择Copy From Cell view,获取原理图中变量,给初始值,这里设置0,1.5 在○1右键选择Edit,设置仿真类型 选择dc仿真,并设置变量 单击v1管子 在弹窗中选择第一个dc vdc。点击OK 设置完成点击保存 同样在1处右击选择Edit.设置输出 从原理图中选择, 全部设置完成,点击运行按钮,开始仿真 I/V特性仿真图 |
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