Silvaco TCAD仿真10

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Silvaco TCAD仿真10

2023-12-17 00:15| 来源: 网络整理| 查看: 265

代码 MOS器件结构 go atlas #定义网格 #二维非均匀网格 mesh x.m l=0.0 spacing=0.3 x.m l=0.5 spacing=0.018 x.m l=2.5 spacing=0.018 x.m l=3 spacing=0.3 y.m l=-0.02 spacing=0.01 y.m l=0.0 spacing=0.01 y.m l=0.3 spacing=0.06 y.m l=1.0 spacing=0.2 #定义材料 region num=1 y.min=0 silicon region num=2 y.max=0.0 oxide #定义电极 elect num=1 name=gate x.min=0.5 length=2 y.min=-0.02 y.max=-0.02 elect num=2 name=source left length=0.5 y.min=0.0 y.max=0.0 elect num=3 name=drain right length=0.5 y.min=0.0 y.max=0.0 elect num=4 name=substrate substrate #定义掺杂 doping uniform p.type conc=2.e16 doping uniform n.type conc=1.e20 x.max=0.5 y.max=0.2 doping uniform n.type conc=1.e20 x.min=2.5 y.max=0.2

不同沟道状态 #模型定义 #迁移率模型（ cvt）、复合模型 models cvt srh print #电极接触类型 #多晶硅栅（自对准效应） contact name=gate n.poly #界面电荷 #SiO2和Si的接触是不理想的，存在界面态，固定的界面电荷 interface qf=3e10 method newton #求解初始状态 solve init #求解漏电压=10V的情况 solve vdrain=10 #存储结果 log outf=nmos1_1.log solve vgate=0 vstep=0.25 vfinal=5.0 name=gate save outf=nmos1_1.str quit 仿真

对于硅基器件，

Vd=10V，Vg=5V，绝大部分器件，处于反型。

夹断，处于饱和状态。

器件结构