手册上可得上一行，要求缺的下一行。rb撇e较容易 rbe=rbb撇+rb撇e 所以 其中β0是低频段晶体管的电流放大系数。 求gm的方法：利用H参数等效模型和Π模型在低频段相等。 于是 如果β0较大的话 现在的β是向量，因为随着CΠ电容的存在，Ib和Ic相位不同。Uce是常数代表没有电压变化，也就是交流通路下可以等效为短路. Ib是Ub撇c乘以rb撇e与电容的并联。因为w增大，β趋于零，所以是低通电路 （gmrb撇e=β0，β0是低频电路时的β） 求fT，fT频率下放大倍数为1，因此下图式子的f/fβ的模应为β0 CΠ撇于是可以描述为fT的函数（把fβ往fT=β0fβ里面一带就求出来了） Uce=0（ce间电容短路），K=0 共基放大倍数： 共基的上限截止频率是共射的（1+β0）倍，但是电流放大倍数也减小了(1+β0)倍 右图是适应于频率从零到无穷大的交流等效电路 思路：分为低频，中频，高频三个频段分析 中频段：耦合电容短路，极间电容断路 关于“高频要考虑zhi极间电容，低频考虑耦合电容dao”是针对信号的失真与否来说的。引用《模拟电子技术基本教程》里的一段文字：”在放大电路中，由于耦合电容对于频率足够高的信号相当于短路，使信号几乎无损失地通过；而对于低频信号的容抗不可忽略，造成信号的损失；因而对信号构成了高通电路。与耦合电容相反，由于半导体管极间电容对于低频信号的容抗很大，相当于开路；而当信号频率高到一定程度时，极间电容将分流，导致信号的损失；因而，对信号构成了低通通路。“所以我归纳为：关于“高频要考虑极间电容，低频考虑耦合电容”是针对信号的失真与否来说的。

低频段：考虑耦合电容 高频段：考虑极间电容

步骤：先画出Π等效模型，先考虑直流通路 在静态下求gm和rb撇e（用Ieq），CΠ用ft求出，就可以画Π了 低频下保留耦合电容，作C两端的戴维南等效电路 高频：

把前边的电路作戴维南等效

问题：高频的CΠ撇如何求？首先用Ube不变的情况下求出CΠ，中频情况下求出近似的K，代入即可。

在共基放大电路中，我们发现放大倍数和带宽矛盾，他们之间的乘积一直是那么大，引出概念增益带宽积

电阻和电容值确定后，增益带宽积就不变了。

在一级放大电路中，如果我们发现低频是每10倍频减小40dB，说明他有两个耦合电容，也即是两级高通电路。如果发现高频是每10倍频减小40dB，说明他有两个三极管（两级放大电路），如果是60dB就是三个三极管。 单管放大电路最大的相位差是90，两级是180，三级是270（向量角相加）

多级放大电路最基本特点：总相移和增益是各级放大电路相移与增益的和。

截止频率：