TTL集成电路使用TTL管，也就是PN结。功耗较大，驱动能力强，一般工作电压+5V

CMOS集成电路使用MOS管，功耗小，工作电压范围很大，一般速度也低，但是技术在改进，这已经不是问题。

就TTL与CMOS电平来讲，前者属于双极型数字集成电路，其输入端与输出端均为三极管，因此它的阀值电压是3.4V为输出高电平。

而CMOS电平就不同了，他的阀值电压比TTL电平大很多。而串口的传输电压都是以COMS电压传输的。

1，TTL电平：

输出高电平>2.4V,输出低电平

是0.2V。最小输入高电平和低电平：输入高电平>=2.0V，输入低电平

0.4V。

2，CMOS电平：

1逻辑电平电压接近于电源电压，0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。

3，电平转换电路：

因为TTL和COMS的高低电平的值不一样（ttl 5vcmos 3.3v），所以互相连接时需

要电平的转换：就是用两个电阻对电平分压，没有什么高深的东西。哈哈

4，OC门，即集电极开路门电路，OD门，即漏极开路门电路，必须外界上拉电阻和电源才能

将开关电平作为高低电平用。否则它一般只作为开关大电压和大电流负载，所以又叫做驱

动门电路。

5，TTL和COMS电路比较：

1）TTL电路是电流控制器件，而coms电路是电压控制器件。

2）TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。

COMS电路的速度慢，传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。

COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常

现象。

3）COMS电路的锁定效应：

COMS电路由于输入太大的电流，内部的电流急剧增大，除非切断电源，电流一直在增大

。这种效应就是锁定效应。当产生锁定效应时，COMS的内部电流能达到40mA以上，很容易

烧毁芯片。

防御措施：

1）在输入端和输出端加钳位电路，使输入和输出不超过不超过规定电压。

2）芯片的电源输入端加去耦电路，防止VDD端出现瞬间的高压。

3）在VDD和外电源之间加线流电阻，即使有大的电流也不让它进去。

4）当系统由几个电源分别供电时，开关要按下列顺序：开启时，先开启COMS电路得电

源，再开启输入信号和负载的电源；关闭时，先关闭输入信号和负载的电源，再关闭COMS

TTL和CMOS都是电平的种类，那么两者又存在哪些区别呢？下面我们来一起了解一下。

TTL，全称为“Transistor Transistor Logic”；CMOS，是“Complementary metal oxide semiconductor”的缩写，所以两者从定义上来看就有所不同。

再来比较电平电压和噪音容限来看，从输出电压来说，TTL电平最高电压不低于2.4V,最低电压不高于0.4V，一般在室温下，高电压为3.5V，输出低电压为0.2V。从输入电压来说，TTL电平高电压则不低于2.0V，低电压不高于0.8V，噪声容限为0.4V；而对于CMOS电平来说，单位数值的逻辑电平电压与电源电压等同，它的噪声容限和TTL电瓶也不同，容限很大，一般不计具体数值。

其次是关于TTL电平和CMOS电平电路的区别。TTL电平和CMOS电平受控制的因素就不一样，TTL电平是受电流控制的器件，而CMOS电平是受电压控制的器件，也正因为如此，两者在传输速度和功耗方面差别也很大。TTL电平的电路要比CMOS电平的电路快得多，传输延迟仅在5-10ns，而CMOS的传输延迟要高达25-50ns，因此它的功率要比TTL电平电路的功率高，发热也更厉害。

ttl是由晶体管构成的逻辑电路，这里所谓的ttl信号是一个电平标准。由于器件的电压不同，ttl电路和cmos电路定义的高低电平电压以及电流不一样。

所谓的需要加ttl信号就是可以以ttl标准的高或低电平信号来触发它。

1.CMOS是场效应管构成(单极性电路)，TTL为双极晶体管构成（双极性电路）

2.COMS的逻辑电平范围比较大（5～15V），TTL只能在5V下工作

3.CMOS的高低电平之间相差比较大、抗干扰性强，TTL则相差小，抗干扰能力差

4.CMOS功耗很小，TTL功耗较大（1～5mA/门）

5.CMOS的工作频率较TTL略低，但是高速CMOS速度与TTL差不多相当

6.CMOS的噪声容限比TTL噪声容限大

7.通常以为TTL门的速度高于“CMOS门电路。影响TTL门电路工作速度的主要因素是电路内部管子的开关特性、电路结构及内部的各电阻阻数值。电阻数值越大，工作速度越低。管子的开关时间越长，门的工作速度越低。门的速度主要体现在输出波形相对于输入波形上有“传输延时”tpd。将tpd与空载功耗P的乘积称为“速度-功耗积”，做为器件性能的一个重要指标，其值越小，表明器件的性能越好（一般约为几十皮（10-12）焦耳）。与TTL门电路的情况不同，影响CMOS电路工作速度的主要因素在于电路的外部，即负载电容CL。CL是主要影响器件工作速度的原因。由CL所决定的影响CMOS门的传输延时约为几十纳秒。

8.TTL电路是电流控制器件，而coms电路是电压控制器件。

希望采纳

ttl与cmos的区别(ttl和cmos)

TTL电平与CMOS电平的区别：

(一)TTL高电平3.6~5V，低电平0V~2.4V

CMOS电平Vcc可达到12V

CMOS电路输出高电平约为0.9Vcc，而输出低电平约为0.1Vcc。

CMOS电路不使用的输入端不能悬空，会造成逻辑混乱。

TTL电路不使用的输入端悬空为高电平

另外，CMOS集成电路电源电压可以在较大范围内变化，因而对电源的要求不像TTL集成电路那样严格。

用TTL电平他们就可以兼容

(二)TTL电平是5V，CMOS电平一般是12V。

因为TTL电路电源电压是5V，CMOS电路电源电压一般是12V。

5V的电平不能触发CMOS电路，12V的电平会损坏TTL电路，因此不能互相兼容匹配。

(三)TTL电平标准

输出 L： 2.4V。

输入 L： 2.0V

TTL器件输出低电平要小于0.8V，高电平要大于2.4V。输入，低于1.2V就认为是0，高于2.0就认为是1。

CMOS电平：

输出 L： 0.9*Vcc。

输入 L： 0.7*Vcc.

一般单片机、DSP、FPGA他们之间管教能否直接相连. 一般情况下，同电压的是可以的，不过最好是要好好查查技术手册上的VIL,VIH,VOL,VOH的值，看是否能够匹配(VOL要小于VIL，VOH要大于VIH，是指一个连接当中的)。有些在一般应用中没有问题，但是参数上就是有点不够匹配，在某些情况下可能就不够稳定，或者不同批次的器件就不能运行。

例如：74LS的器件的输出，接入74HC的器件。在一般情况下都能好好运行，但是，在参数上却是不匹配的，有些情况下就不能运行。

74LS和54系列是TTL电路，74HC是CMOS电路。如果它们的序号相同，则逻辑功能一样，但电气性能和动态性能略有不同。如，TTL的逻辑高电平为> 2.7V,CMOS为> 3.6V。如果CMOS电路的前一级为TTL则隐藏着不可靠隐患，反之则没问题。

1.CMOS是场效应管构成，TTL为双极晶体管构成

2.COMS的逻辑电平范围比较大（5～15V），TTL只能在5V下工作

3.CMOS的高低电平之间相差比较大、抗干扰性强，TTL则相差小，抗干扰能力差

4.CMOS功耗很小，TTL功耗较大（1～5mA/门）

5.CMOS的工作频率较TTL略低，但是高速CMOS速度与TTL差不多相当。

1、CMOS是场效应管构成(单极性电路)，TTL为双极晶体管构成（双极性电路）

2、COMS的逻辑电平范围比较大（5～15V），TTL只能在5V下工作

3、CMOS的高低电平之间相差比较大、抗干扰性强，TTL则相差小，抗干扰能力差

4、CMOS功耗很小，TTL功耗较大（1～5mA/门）

5、CMOS的工作频率较TTL略低，但是高速CMOS速度与TTL差不多相当

6、CMOS的噪声容限比TTL噪声容限大

7、通常以为TTL门的速度高于“CMOS门电路。影响TTL门电路工作速度的主要因素是电路内部管子的开关特性、电路结构及内部的各电阻阻数值。电阻数值越大，工作速度越低。

扩展资料：

CMOS使用注意事项

1、COMS电路时电压控制器件，它的输入总抗很大，对干扰信号的捕捉能力很强。所以，不用的管脚不要悬空，要接上拉电阻或者下拉电阻，给它一个恒定的电平。

2、输入端接低内组的信号源时，要在输入端和信号源之间要串联限流电阻，使输入的电流限制在1mA之内。

3、当接长信号传输线时，在COMS电路端接匹配电阻。

4、当输入端接大电容时，应该在输入端和电容间接保护电阻。电阻值为R=V0/1mA.V0是外界电容上的电压。

5、COMS的输入电流超过1mA，就有可能烧坏COMS。

参考资料：百度百科-CMOS电路

百度百科-TTL电路

TTL电路和CMOS电路的区别和联系如下：

1、CMOS是场效应管构成(单极性电路)，TTL为双极晶体管构成（双极性电路）。

2、COMS的逻辑电平范围比较大（5～15V），TTL只能在5V下工作。

3、CMOS的高低电平之间相差比较大、抗干扰性强，TTL则相差小，抗干扰能力差。

4、CMOS功耗很小，TTL功耗较大（1～5mA/门）。

5、CMOS的工作频率较TTL略低，但是高速CMOS速度与TTL差不多相当。

6、CMOS的噪声容限比TTL噪声容限大。

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