​15n50参数及代换,15n50场效应管参数,KNX6650A-KIA MOS管

信息来源：本站　日期：2024-02-20　

耗散功率（PD）：48 W

漏极电流（ID）：15 A

漏极和源极电压（VDSS）：500 V

漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.35 Ω

KNX6650A沟道增强型硅栅功率MOSFET专为高压、高速功率开关应用而设计，如高效开关电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑的电子灯镇流器。

高压MOS管KNX6650A采用专有平面新技术，参数为500V 15A，RDS（ON），典型值=0.33Ω@VGS=10V，具有低栅电荷最小开关损耗、快速恢复体二极管等特性，能够替代仙童的15n50场效应管，性能卓越、性价比高；特别适用于开关电源、LED驱动等领域，能有效地控制电流和电压，保证电源的稳定和可靠性，KNX6650A封装形式：TO-220、TO-220F。

漏源极电压：500V

栅极到源极电压：±30V

连续漏电电流：15A

单脉冲雪崩能量：1000MJ

最大功耗：140/60W

漏源击穿电压：500V

漏源漏电流：100μA

输入电容：2148pF

反向恢复时间：520ns

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