大家周末愉快！本次分享关于STM32内部FLASH的笔记。

STM32 芯片内部的 FLASH 存储器，主要用于存储我们代码。

如果内部FLASH存储完我们的代码还有剩余的空间，那么这些剩余的空间我们就可以利用起来，存储一些需要掉电保存的数据。

本文以STM32103ZET6为例。STM32103ZET6属于大容量产品，其闪存模块组织如下：

其主存储器大小为512KB，分为256页，每页大小都为2KB。我们的程序一般默认烧写到第0页的起始地址(0x08000000)处。

当BOOT0引脚和BOOT1引脚都接GND时，就是从这个地址开始运行代码的。这个地址在keil中可以看到：

假如我们要下载的程序大小为4.05KB，则第0、1、2页用于保存我们的程序，我们需要掉电保存的数据只能保存在第3~第255页这一部分空间内。

我们最终要下载的程序大小可在工程对应的.map文件中看到。.map文件可以双击工程的Target的名字快速打开，如：

下面对STM32内部FLASH进行简单的读写测试：

流程图如下：

本流程图省略异常情况，只考虑成功的情况：

示例代码：

本例的关键代码如下(以读写第255页为例)：

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