1：话机无馈电；

2：SLIC芯片LE88266芯片温度高；

图表 1 SLIC原理架构图

如图表1，GEWV2.3L22A-B2设计架构中，电话口编解码由LE88266处理，然后通过PCM-4总线传输到DSP(BCM63293)，DSP进行数据处理。

图表 2 LE88266升压原理图

图表二为SLIC升压原理架构，LE88266通过控制buck-boost电路的开关，得到VBATL与VBATH.

1：话机无馈电

分析：用万用表测试SLIC升压电路电源输出，VBATL电压为-26V，VBATH电压-112V。按照设计要求，VBATL:VBATH=1:3，确认升压电路有问题。

2：SLIC芯片LE88266芯片温度高。

分析：按照经验，所要过温的问题，都可以认为是吸取过流过大。万用表测试得知SLIC升压变压器VBATL电流过大。

结论：SLIC损坏，导致VBATL对地阻抗变小，VBATL吸取电流变大，从而导致SLIC芯片LE88266温度升高，大电流最终导致升压变压器初次级短线（12V对地短路），板子无法正常工作。

临时对策：更换SLIC与升压变压器，话机工作正常。

“治病要除根”，至目前，我们只找到处理已有故障的设备。接下来，我们需要复现问题，分析问题，解决问题。因为故障出现是小几率的事件，所以我们只能多次去复现。在复现问题过程中，发现问题主要出现在FXS外接话机上电过程中。

基于处理故障机器经验，我们从VBATL(CH2), VBATH（CH1）以及TING(CH3)三个信号入手，用示波器监控这三组信号，正常工作板子上电波形如下：

图表 3 LE88266上电波形

如图表三，SLIC整个上电过程分为2个过程：

1：电源校准

2：AB线校准（即TIP与RING校准）

在多次上电过程中，有用示波器抓到上电异常时候波形：

图表 4 异常时的信号表现

如图表中所示，我们可以看到如下状况：

1：VBATL(CH2)与 VBATH（CH1）在电源校验后，VBATL输出电源为-40V，VBATH输出电压-120V;

2：VBATL以10V/step的速度上升，因为VBATL:VBATH=1:3，所以VBATL以30V/step的速度上升。最终导致SLIC芯片损坏。

3：对比图表二与图表三，可以发现VBATL电压输出-40V与TIP有关。

综合以上三点以及更细分的实验，最后得出结论：

SLIC损坏与外接电话有关。在SLIC上电初始化过程，如果外接话机吸取电流过大，TIP电流会增加，导致VBATL电流增加，VBATL电压降低。当VBATL电压降低时瞬间，SLIC正在对电压进行校准。当SLIC芯片发现电压与理论值偏低时，将增加偏离值补偿给VBATL，最终导致VBATL电压过高。

1：调节SLIC芯片升压电路驱动能力，由原来低驱动能力调整为中驱动能力。

2：软件修改增加电压校准偏差补丁，如果电压校准值比理想值大约5V，放弃校准。

分析故障的过程中，最重要的是复现问题，并找到出现故障瞬间，各信号的状况；

在两个系统的校准过程中，应该避免通过系统在校准的时间中有重叠。防止A系统的校准对B系统有影响。