动态读写存储器（Dynamic Random-Access Memory，DRAM）需要定时刷新的主要原因是电容器的漏电。DRAM中存储数据的基本单元是电容器和晶体管，其中电容器用于存储信息，晶体管用于读写数据。由于电容器是一种可充电的电子元件，其存储的电荷会随时间逐渐泄漏。

为了避免存储的数据在漏电的情况下丢失，DRAM需要定时刷新电容器中存储的数据。刷新操作是由内部计时器触发的，定期地读取并重新写入DRAM中存储的所有数据。这样可以确保每个电容器都能得到充电，从而保持数据的正确性。

在现代的DRAM中，刷新操作通常使用“自刷新”技术实现，即DRAM芯片内部包含一个刷新控制电路，它可以自动执行刷新操作，而不需要外部的控制信号。这样就可以减少CPU或其他控制器的负担，提高系统的性能和可靠性。