只读存储器ROM(read-only memory)的电路结构包括存储矩阵、地址译码器和输出缓冲器三个组成部分。

其中存储矩阵由许多存储单元排列而成。存储单元可以用二极管、三极管或MOS管构成。每个单元能存放1位二值代码（0或1）.每一个或一组存储单元有一个对应的地址代码。

地址译码器的作用是将输入的地址代码译成相应的控制信号，利用这个控制信号选定存储矩阵中的某个存储单元，并把其中的数据送到输出缓冲器。而输出缓冲器采用三态控制，意识能提高存储器的带负载能力，二是便于与系统的总线连接。ROM的电路结构框图如图所示。 其中， A 0 ∼ A n − 1 A_0\sim A_{n-1} A0​∼An−1​为n条地址输入线，能产生 2 n 2^n 2n 种译码输出，范围为 W 0 ∼ W 2 n − 1 W_0\sim W_{2^n-1} W0​∼W2n−1​ ，每个字的输出为m位，输出是 D 0 ∼ D m − 1 D_0\sim D_{m-1} D0​∼Dm−1​共m位数据。

通常称 A 0 ∼ A n − 1 A_0\sim A_{n-1} A0​∼An−1​为地址线，每种译码输出叫作一个“字”，称 W 0 ∼ W 2 n − 1 W_0\sim W_{2^n-1} W0​∼W2n−1​为字线，每个字的输出为m位，把 D 0 ∼ D m − 1 D_0\sim D_{m-1} D0​∼Dm−1​称为位线（或称为数据线）。

在读取数据时，只要输入指定的地址码并令 E N ‾ = 0 \overline{EN} = 0 EN=0，则地址指定的存储单元所存储的数据便会出现。

例如，当 A 1 A 0 = 01 A_1A_0 = 01 A1​A0​=01时， W 1 = 1 W_1 = 1 W1​=1，而其他字线均为低电平。由于有 D 3 ′ D'_3 D3′​、 D 1 ′ D'_1 D1′​、 D 0 ′ D'_0 D0′​这3根线与 W 1 W_1 W1​间接有二极管，所以这3个二极管导通后使 D 3 ′ D'_3 D3′​、 D 1 ′ D'_1 D1′​、 D 0 ′ D'_0 D0′​均为高电平，而 D 2 ′ D'_2 D2′​为低电平。如果这时 E N ‾ = 0 \overline{EN} = 0 EN=0，即可在数据输出端得到 D 3 D 2 D 1 D 0 = 1011 D_3D_2D_1D_0 = 1011 D3​D2​D1​D0​=1011。根据二极管存储矩阵的排列形式，可以列出地址 A 1 A 0 A_1A_0 A1​A0​与输出数据 D 3 D 2 D 1 D 0 D_3D_2D_1D_0 D3​D2​D1​D0​的对应关系，如下图。 以上分析可以看出，字线和位线的每个交叉点都是一个存储单元。交点处接有二极管时相当于存1，没有接二极管时相当于存0。交叉点的数目也就是存储单元数。习惯上用存储单元的数目表示存储器的容量，并写成“字数 × \times ×位数 ”的形式。因此，图8-2中ROM的存储容量应表示成“ 4 × 4 4\times4 4×4位”。

programmed in manufacture

OTP (one time programmable)

从工厂出来，全部都是1。在programme的时候，将储存0的单元，由1烧(burn)成0。

可以多次地programme。

rewritable DVD和普通DVD的区别。

普通DVD，一旦刻好，就不可能再被修改。

rewritable DVD，就是可以被重写的。

单片机中为什么有了Flash还有EEPROM？

单片机运行时的数据都存在RAM（随机存储器）中，在掉电后RAM中的数据是无法保留的，那么怎样使数据在掉电后不丢失呢？这就需要使用EEPROM或FLASHROM等存储器来实现。

ROM最初不能编程，出场什么内容就永远什么内容，不灵活。后来出现了PROM，可以自己写入一次，要是写错了，只能换一片，随着不断改进，终于出现了可以多次擦除写入的EPROM，每次擦除要把芯片拿到紫外线上照一下，想一下，你往单片机上下了一个程序后发现有个地方需要加一句话，为此你要把单片机放紫外线下照半小时，然后才能再下一次，这么折腾一天也改不了几次。历史的车轮不断前进，伟大的EEPROM出现了，拯救了一大批程序员，终于可以随意地修改ROM中地内容了。