第016课 Nand Flash

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第016课 Nand Flash

2023-03-16 18:39| 来源: 网络整理| 查看: 265

目录 1 第001节_NAND_FLASH操作原理 2 第002节_NandFlash时序及初始化 3 第003节_NandFlash的芯片id读取 4 第004节_NandFlash的数据读取 5 第005节_NandFlash的擦除与烧写 6 《《所有章节目录》》 第001节_NAND_FLASH操作原理

NAND FLASH原理图

NAND FLASH是一个存储芯片

那么: 这样的操作很合理"读地址A的数据,把数据B写到地址A"

问1. 原理图上NAND FLASH和S3C2440之间只有数据线,怎么传输地址?

答1.在DATA0~DATA7上既传输数据,又传输地址当ALE为高电平时传输的是地址,

那么在数据线上是不是只传输数据和只传输地址呢?

我们参考NAND FLASH的芯片手册可以知道,对NAND FLASH的操作还需要发出命令,下面有个NAND FLASH的命令表格 问2. 从NAND FLASH芯片手册可知,要操作NAND FLASH需要先发出命令怎么传入命令?

答2.在DATA0~DATA7上既传输数据,又传输地址,也传输命令:

1. 当ALE为高电平时传输的是地址。

2. 当CLE为高电平时传输的是命令。

3. 当ALE和CLE都为低电平时传输的是数据。

问3. 数据线既接到NAND FLASH,也接到NOR FLASH,还接到SDRAM、DM9000等等

那么怎么避免干扰?

答3. 这些设备,要访问之必须"选中",没有选中的芯片不会工作,相当于没接一样。

问4. 假设烧写NAND FLASH,把命令、地址、数据发给它之后,NAND FLASH肯定不可能瞬间完成烧写的,怎么判断烧写完成?

答4. 通过状态引脚RnB来判断:它为高电平表示就绪,它为低电平表示正忙

问5. 怎么操作NAND FLASH呢?

答5. 根据NAND FLASH的芯片手册,一般的过程是:

发出命令

发出地址

发出数据/读数据

看上面的命令表格,不容易看,我们看一下读ID的时序图,

每个NAND FLASH都内嵌一些ID(譬如:厂家ID,设备ID),时序图从左往右看,纵向放是一列一列的看。

对于我们s3c2440来说,内部集成了一个NAND FLASH控制器,2440和外设连接的简易图,如下图所示

NAND FLASH控制器,帮我们简化了对NAND FLASH的操作,下面来分析一下不使用NAND FLASH控制器和使用NAND FLASH控制器对外设NAND FLASH的操作。

发命令:

NAND FLASH S3C2440 选中芯片 NFCMMD=命令值 CLE设为高电平 在DATA0~DATA7上输出命令值 发出一个写脉冲

发地址:

NAND FLASH S3C2440 选中芯片 NFADDR=地址值 ALE设为高电平 在DATA0~DATA7上输出地址值 发出一个写脉冲

发数据:

NAND FLASH S3C2440 选中芯片 NFDATA=数据值 ALE,CLE设为低电平 在DATA0~DATA7上输出数据值 发出一个写脉冲

读数据 :

NAND FLASH S3C2440 选中芯片 val=NFDATA 发出读脉冲 读DATA0~DATA7的数据

用UBOOT来体验NAND FLASH的操作:

1. 读ID

S3C2440 u-boot 选中 NFCONT的bit1设为0 md.l 0x4E000004 1; mw.l 0x4E000004 1 发出命令0x90 NFCMMD=0x90 mw.b 0x4E000008 0x90 发出地址0x00 NFADDR=0x00 mw.b 0x4E00000C 0x00 读数据得到0xEC val=NFDATA md.b 0x4E000010 1 读数据得到device code val=NFDATA md.b 0x4E000010 1 退出读ID的状态 NFCMMD=0xff mw.b 0x4E000008 0xff

下图是读操作时序图

对于存储为256M的NAND FLASH,需要28条地址线,来表示这个地址值,根据原理图可以,只用8根地址线,所以需要4个周期的地址,为了兼容更大容量的NAND FLASH,要发出5个周期的地址:(如下图所示)

2,读数据

S3C2440 u-boot 选中 NFCONT的bit1设为0 md.l 0x4E000004 1; mw.l 0x4E000004 1 发出命令0x00 NFCMMD=0x00 mw.b 0x4E000008 0x00 发出地址0x00 NFADDR=0x00 mw.b 0x4E00000C 0x00 发出地址0x00 NFADDR=0x00 mw.b 0x4E00000C 0x00 发出地址0x00 NFADDR=0x00 mw.b 0x4E00000C 0x00 发出地址0x00 NFADDR=0x00 mw.b 0x4E00000C 0x00 发出地址0x00 NFADDR=0x00 mw.b 0x4E00000C 0x00 发出命令0x30 NFCMMD=0x30 mw.b 0x4E000008 0x30 读数据得到0x17 val=NFDATA md.b 0x4E000010 1 读数据得到0x00 val=NFDATA md.b 0x4E000010 1 读数据得到0x00 val=NFDATA md.b 0x4E000010 1 读数据得到0xea val=NFDATA md.b 0x4E000010 1 退出读状态 NFCMMD=0xff mw.b 0x4E000008 0xff

第002节_NandFlash时序及初始化 存储芯片的编程 NAND FLASH存储芯片编程 初始化 主控芯片的NAND FLASH控制器的初始化 识别 读取ID 读操作 一次读一个页(page) 写操作 一次写一个页(page) 擦除 一次擦除一个块(block)

NAND FLASH控制器的时序,是为了让NAND FLASH外设工作起来,假如外接不同的 NAND FLASH外设,那么它的操作时序可能就会不同,所以NAND FLASH控制器发出 的时序图,就是不一样的,所以我们根据NAND FLASH外设来设置NAND FLASH控制器,

NAND FLASH时序图,如下所示: 我们在汇编语言中已经设置HCLK为100MHZ,一个周期T = 1000/100 = 10s,通过上面三个图可以知道:TACLS的值可以为0;TWRPH0的值可以为1;TWRPH1的值可以为0。 所以NFCONF寄存器设置如下:

#define TACLS 0 #define TWRPH0 1 #define TWRPH1 0 /*设置NAND FLASH的时序*/ NFCONF = (TACLS


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