IRF540N场效应管详细参数及引脚功能 |
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IRF540N是一种常见的N沟道增强型 MOSFET,用于非常快速的开关操作以及放大过程。与一般晶体管相比,的输入阻抗相当高,因此非常敏感。 IRF540N场效应管详细参数 IRF540N是一种N沟道MOSFET,它有以下主要参数: 1、封装 TO-220,封装是由环氧树脂和塑料的混合物制成,具有作为电子元件的耐高温能力。 2、晶体管类型 N通道,增强型 3、电压规格 漏源电压为 100v ,栅源电压为 20v ,栅源阈值电压为 2 至 4v ,具有高电压规格。 4、电流规格 漏极电流为 20 至 28A ,这是 MOSFET 在正常情况下的最大负载能力。 脉冲漏极电流值为 110A ,在脉冲信号条件下,IRF540充当功率器件。 5、功耗 功耗值为 150W,功耗值主要取决于所使用的封装。 6、峰值二极管 二极管恢复峰值 dv/dt 值为 5.5 V/ns,是 MOSFET 开关时间内的镜像二极管 7、漏源导通电阻 漏源导通电阻为 0.077Ω,是 MOSFET 显示的电阻值,因此 具有较低的导通电阻值。 8、结温 MOSFET 的结温为 -55 至 + 175℃。 9、反向恢复时间 MOSFET 的反向恢复时间为 180 至 360ns,即开始导通前放电所需的时间。 10、总栅极电荷 MOSFET 的总栅极电荷为 72nC,需要注入栅极以打开 MOSFET 的总栅极电荷 IRF540N场效应管引脚图及功能 Gate: 这个引脚是控制MOSFET导通和截止的输入端口。向这个引脚施加正电压将使MOSFET通导。 Drain: 这个引脚是MOSFET的高侧(或输出)连接端口。在正常工作情况下,这个引脚连接到电源电压。 Source: 这个引脚是MOSFET的低侧(或地面)连接端口。在正常工作情况下,这个引脚连接到电路的接地点。 IRF540N可以用什么管代替 1、等效型号 IRF540PBF、RFP30NO6、IRFZ44、IRF3205、IRF5540、RFP2210、BUZ21 等。 2、互补型号 IRF9540 MOSFET。 IRF540N的主要优点是低导通电阻、高可靠性和高速开关特性。它的主要缺点是价格相对较高。但是,由于其在许多应用中具有出色的能力,因此IRF540N仍然是市场上最常用的MOSFET之一。 |
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