光刻胶(photoresist)又称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、X 射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料，主要由光刻胶树脂、增感剂（光引发剂+光增感剂+光致产酸剂）、单体、溶剂和其他助剂组成。

由于应用场景颇多，不同用途的光刻胶在曝光光源、制造工艺、成膜特性等性能要求不同，对材料的溶解性、耐蚀刻性和感光性能等要求不同，不同原料的占比会有很大幅度变化，其中光刻胶树脂是光刻胶主要成分，成本占比达到 50%。

光刻胶为集成电路中极为重要的材料，作为图形媒介物质，用于芯片制造的光刻环节，是必 不可缺的关键材料。

光刻胶按应用领域分为 PCB、面板和半导体光刻胶，半导体光刻胶将成为光刻胶市场

主要增长因素。

根据 Cision, 2019 年全球光刻胶市场规模约 91 亿美元，至 2022 年市场规模将超过 105 亿美元，年化增长率约 5%，其中，面板、PCB 和半导体光刻胶的应用占比分别为 27.8%、23.0%和 21.9%。

在下游 PCB 和面板二者复合增速缓慢的情况下，半导体光刻胶将在半导体市场的快速增长下，叠加其单位价值量相较于 PCB 光刻胶和面板光刻胶更高的特性，有望成为全球光刻胶市场增长的主要因素。

随着 IC 制程的不断提高，为了满足集成电路对电路密度和集成水平更高要求，通过不断缩短光刻胶曝光波长，不断提升图形的分辨率。

经过几十年的研发，按照曝光波长，目前光刻胶的波长由紫外宽谱逐步至 G 线（436nm）、I 线（365nm）、KrF（248nm）、ArF （193nm）（KrF 和 ArF 合计称为 DUV 光刻胶）、以及最先进的 EUV (