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1、会计学1PN结二极管工作原理结二极管工作原理(yunl)及制备工艺及制备工艺第一页，共34页。 在物理学中，根据材料的导电能力，可以(ky)将他们划分为导体、绝缘体和半导体。 典型的半导体是硅Si和锗Ge，它们都是4价元素。sisi硅原子硅原子Ge锗原子锗原子Ge+4+4硅 和 锗 最 外 层硅 和 锗 最 外 层 ( w i cn)轨道上的四个电轨道上的四个电子称为价电子。子称为价电子。第1页/共33页第二页，共34页。 本征半导体的共价键结构(jigu)束缚电子束缚电子在绝对温度在绝对温度T=0K时，时，所有的价电子都被共价键紧紧所有的价电子都被共价键紧紧束缚在共价键中，不会束缚在共价键中

2、，不会(b hu)成为自由电子，因此本征成为自由电子，因此本征半导体的导电能力很弱，接近半导体的导电能力很弱，接近绝缘体。绝缘体。本征半导体（Intrinsic Semiconductor)完全纯净完全纯净(chnjng)的、结构完整的半导体晶体。的、结构完整的半导体晶体。第2页/共33页第三页，共34页。 这一现象(xinxing)称为本征激发，也称热激发。 当温度升高或受到光的照射时，束缚电子能量增高当温度升高或受到光的照射时，束缚电子能量增高(znggo)，有的电子可以挣脱原子核的束缚，而参与导电，成为自由电子。，有的电子可以挣脱原子核的束缚，而参与导电，成为自由电子。自由电子自由电子(

3、z yu din z)+4+4+4+4+4+4+4+4+4空穴空穴 自由电子产生的同时，在其原来的共价键中就出现了一个空位，称为自由电子产生的同时，在其原来的共价键中就出现了一个空位，称为空穴空穴。第3页/共33页第四页，共34页。杂质杂质(zzh)半导体半导体N N型半导体型半导体：q杂质杂质(zzh)元素：磷，元素：磷，砷砷正离子+多数(dush)载流子少数载流子在本征在本征SiSi和和GeGe中掺入微量中掺入微量五价五价元素后形元素后形成的杂质半导体。成的杂质半导体。q多子：自由电子多子：自由电子q少子：空穴少子：空穴第4页/共33页第五页，共34页。-P P型半导体：型半导体：q杂质杂

4、质(zzh)元素：硼，元素：硼，铟铟负离子多数(dush)载流子少数(shosh)载流子在本征在本征SiSi和和GeGe中掺入微量中掺入微量三价元素三价元素后形成后形成的杂质半导体。的杂质半导体。q多子：空穴多子：空穴q少子：自由电子少子：自由电子杂质半导体杂质半导体第5页/共33页第六页，共34页。说明(shumng)v杂质半导体呈电中性，任一空间的正负电荷数相等杂质半导体呈电中性，任一空间的正负电荷数相等(xingdng)(xingdng)v N N型半导体：电子型半导体：电子+ +正离子正离子v v P P型半导体：空穴型半导体：空穴+ +负离子负离子v多子主要由掺杂形成多子主要由掺杂形

5、成, ,少子少子(sho z)(sho z)本征激发形成本征激发形成第6页/共33页第七页，共34页。PN结：PN结的形成结的形成(xngchng)+-载流子的扩散载流子的扩散(kusn)运动运动建立建立(jinl)内电场内电场内电场对载流子的作用扩散运动和漂移运动达到动态平衡，交界面形成稳定的空间电荷区，即 结P区N区第7页/共33页第八页，共34页。一、一、PNPN结正向结正向(zhn xin)(zhn xin)偏置偏置 在外电场作用下，多子将向结移动，结果使空间电荷区变窄，内电场被削弱，有利于多子的扩散而不利于少子的漂移，扩散运动起主要在外电场作用下，多子将向结移动，结果使空间电荷区变窄

6、，内电场被削弱，有利于多子的扩散而不利于少子的漂移，扩散运动起主要(zhyo)(zhyo)作用。结果，区的多子空穴将源源不断的流向区，而区的多子自由电子亦不断流向区，这两股载流子的流动就形成了结的正向电流。作用。结果，区的多子空穴将源源不断的流向区，而区的多子自由电子亦不断流向区，这两股载流子的流动就形成了结的正向电流。 PN结外加结外加(wiji)正向电压（正向电压（P区接电源的正极，区接电源的正极，N区接电源的负极，或区接电源的负极，或P区的电位高于区的电位高于N区电位），称为正向偏置，简称正偏。区电位），称为正向偏置，简称正偏。PN结的单向导电性结的单向导电性第8页/共33页第九页，共3

7、4页。二、二、PNPN结反向结反向(fn xin)(fn xin)偏置偏置 在外电场作用下，多子将背离结移动，结果使空间电荷区变宽，内电场被增强，有利于少子在外电场作用下，多子将背离结移动，结果使空间电荷区变宽，内电场被增强，有利于少子(sho z)(sho z)的漂移而不利于多子的扩散，漂移运动起主要作用。漂移运动产生的漂移电流的方向与正向电流相反，称为反向电流。的漂移而不利于多子的扩散，漂移运动起主要作用。漂移运动产生的漂移电流的方向与正向电流相反，称为反向电流。 因少子因少子(sho z)(sho z)浓度很低，反向电流远小于正向电流。浓度很低，反向电流远小于正向电流。v当温度一定时，少

8、子浓度一定，反向当温度一定时，少子浓度一定，反向(fn xin)(fn xin)电流几乎不随外加电压而变化，故称为电流几乎不随外加电压而变化，故称为 反向反向(fn xin)(fn xin)饱和电流饱和电流 。 PN PN结外加结外加反向电压反向电压（P P区接电源的负极，区接电源的负极，N N区接电源的区接电源的正极，或正极，或P P区的电位低于区的电位低于N N区电位），称为区电位），称为反向偏置反向偏置，简，简称称反偏反偏。第9页/共33页第十页，共34页。 PN PN结正偏时呈导通结正偏时呈导通状态，正向电阻很小，状态，正向电阻很小，正向电流很大；正向电流很大； PN PN结反偏时呈截

9、止结反偏时呈截止状态，反向状态，反向(fn (fn xin)xin)电阻很大，反向电阻很大，反向(fn xin)(fn xin)电流很小电流很小。 PN PN结的单向导电结的单向导电性性第10页/共33页第十一页，共34页。在一个PN结的两端，各引一根电极引线，并用外壳(wi k)封装起来就构成了半导体二极管，（或称晶体二极管，简称二极管。由P区引出的电极(dinj)称为阳极（正极）由N区引出的电极称为(chn wi)阴极（负极）半导体二极管的结构和类型半导体二极管的结构和类型第11页/共33页第十二页，共34页。UFIF0URIR0反向电击穿区(1) (1) 正向正向(zhn xin)(zh

10、n xin)特性特性(2) (2) 反向反向(fn xin)(fn xin)特性特性第12页/共33页第十三页，共34页。晶片准备(zhnbi)平面工艺封装测试(csh)第13页/共33页第十四页，共34页。p-Si第14页/共33页第十五页，共34页。第15页/共33页第十六页，共34页。p-SiSiO2(1) 氧化氧化(ynghu) 问题： 1、二氧化(ynghu)硅薄膜作用及制备的方法有哪些？ 涉及到知识：薄膜生长 2、此处的二氧化(ynghu)硅薄膜的作用是？ 涉及到知识：薄膜生长 3、为什么要双面氧化(ynghu)？ 为后续的磷扩散做准备。热生长一层氧化(ynghu)层 做为扩散的掩

11、蔽膜。 4、氧化(ynghu)层的厚度需要大于设计的厚度，为什么？ 第16页/共33页第十七页，共34页。photoresist问题：问题：1、涂胶、涂胶.avi过程过程2、光刻胶分类，作用，常用的光刻胶？、光刻胶分类，作用，常用的光刻胶？ 聚乙烯醇肉桂酸酯光刻胶聚乙烯醇肉桂酸酯光刻胶3、涂胶后，曝光前，有一个对光刻胶加固、涂胶后，曝光前，有一个对光刻胶加固(ji )的过程叫做？的过程叫做？ 烘烤烘烤第17页/共33页第十八页，共34页。黑色部分都是不透光的，中间(zhngjin)的白色部分是做扩散的位置。MaskMask的剖面图Mask 1第18页/共33页第十九页，共34页。问题(wnt)

12、：1、光刻的作用？在氧化层上刻出扩散窗口，这个窗口最终将成为pn结二极管的位置。2、图中使用的是正胶，如果用负胶如何修改工艺？第19页/共33页第二十页，共34页。问题： 1、什么是显影工艺？ 用显影液除去曝光后硅片上应去掉的那部分(b fen)光致蚀剂的过程 2、显影后有一步烘烤的工艺叫什么，作用是？ 坚膜，除去光刻胶 3、显影液选择的注意事项。第20页/共33页第二十一页，共34页。（5）腐蚀）腐蚀(fsh)问题： 1、腐蚀分为哪两种形式，各有什么特点2、选用腐蚀液要注意(zh y)什么？ 3、上面的图片有错误，请指出。第21页/共33页第二十二页，共34页。1、通常(tngchng)用什

13、么方法去胶？第22页/共33页第二十三页，共34页。1、硅片要经过适当的清洗后2、应该扩散什么杂质3、杂质扩散源有哪些(nxi)4、以液态扩散源简要说一下扩散的化学原理5、这只是杂质的预淀积。第23页/共33页第二十四页，共34页。硅片经过适当的清洗后，进行(jnxng)杂质的再分布。在未被氧化层保护的区域形成了n+-p结。n+中的“+”号表示高掺杂。第24页/共33页第二十五页，共34页。（9）金属化）金属化 1、金属化的目的？是将器件与外部连接起来。2、淀积金属薄膜有几种方法？ 溅射或者蒸发Al都可以在整个硅片表面(biomin)上形成很薄金属膜。3、通常还需要在低温下（低于或等于500o

14、C）退火来改善金属层与硅之间的欧姆接触。第25页/共33页第二十六页，共34页。目的：通过光刻去除(q ch)扩散结区域之外的多余的金属薄膜。第26页/共33页第二十七页，共34页。黑色部分都是不透光的，四周的白色部分是刻蚀金属(jnsh)的位置。MaskMask的剖面图Mask 2问题(wnt)：可不可以用Mask1？第27页/共33页第二十八页，共34页。1、如果(rgu)采用负胶，如何修改掩膜板Mask2？第28页/共33页第二十九页，共34页。问题(wnt)：显影液的选择第29页/共33页第三十页，共34页。1、此次(c c)腐蚀的目的？2、腐蚀液的选择。第30页/共33页第三十一页，

15、共34页。 完成金属化接触之后，对器件进行(jnxng)塑封或者密封在金属管壳内。第31页/共33页第三十二页，共34页。总体总体(zngt)流程流程1、学会(xuhu)画流程图2、会解释每一步 工艺的作用？3、每步工艺所用 的化学品，及 化学反应原理。第32页/共33页第三十三页，共34页。NoImage内容(nirng)总结会计学。在物理学中，根据材料的导电能力，可以将他们划分为导体、绝缘体和半导体。典型的半导体是硅Si和锗Ge，它们都是4价元素。这一现象称为本征激发，也称热激发。多子主要由掺杂形成,少子本征激发形成。因少子浓度(nngd)很低，反向电流远小于正向电流。准备： 1、制备单晶硅片（平整、无缺陷）。（ 在形成单晶的过程中已经进行了均匀的硼掺杂）。（有机物、吸附的金属离子和金属原子的化学清洗）。4、氧化层的厚度需要大于设计的厚度，为什么第三十四页，共34页。