新闻①：Ryzen 7 7840U性能展示，780M核显比RTX 2050更快，可与GTX 1650 Ti叫板

AMD在本周发布了Ryzen 7040U系列处理器，它们同样基于Phoenix芯片，采用Zen 4架构CPU和RDNA3架构GPU，而AOKZEO的A1 Pro是目前为数不多搭载Ryzen 7040U处理器的掌机，顶配的采用Ryzen 7 7840U处理器，近段时间AOKZEO在他们的油管频道上传了不少A1 Pro掌机的演示视频，也包含了一些基准测试。

掌机所用的Ryzen 7 7840U处理器是8核16线程，基础频率3.3GHz，加速频率5.1GHz，TDP在15W到30W之间可调，采用Radeon 780M核显配有12组CU，GPU频率能到2.7GHz，与上一代RDNA2架构的Radeon 680M拥有相同的CU数量，但频率高得多，毕竟680M最高只能到2.2GHz。

从3DMark基准测试来看，Radeon 780M核显的性能比680M快28%到31%左右，比GTX 1650 Ti Max-Q慢3%~7%，可以说两者的性能相当接近，和RTX 2050比较的话，Fire Strike测试慢了3%，但在Time Spy测试中快了26%。

CPU性能方面，Ryzen 7 7840U已经比上代45W的Ryzen 9 6900HX要高了，多线程领先4.5%，单线程领先12%，和功耗更高的Core i7-12700H相比的话也不会差距太大。

它们还展示了一些游戏的运行帧率，具体分辨率和画质设置图上有标明，由于掌机的屏幕是1920*1200的，所以有不少游戏的分辨率是1280*800，在那种小尺寸屏幕上其实也没太大所谓，许多游戏都能以45~60fps运行，可见Ryzen 7 7840U对于掌机来说是一款相当强劲的处理器。

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   似乎和我们预想的不太一样，虽然在核显规模上，R780M和R680M都是12CU，看起来提升不大，但随着工艺制程、架构以及缓存、内存的提升，R780M的性能表现要超过R680M很多！而且此次的对比测试中AMD引入了与独显的对比，之前的Vega核显已经可以取代入门的MX系列，这次R780M的目标则是XX50系列的中低端，而显然这个目标已经实现了。如此一来，中低端的独显唯一的价值应该就是独立的、带宽更高的显存？不知道这一优势在带宽更高的内存问世之后还能保持多久……

新闻②：消息称英特尔 14 代酷睿核显性能超过 AMD 780M，接近 RTX 3050

海外硬件爆料人 Moore's Law is Dead 放出了有关英特尔 14 代酷睿 Meteor Lake 移动处理器核显性能的爆料，称其接近笔记本 RTX 3050 水平。

根据该爆料人绘制的图表，在 45W 性能释放下，14 代酷睿移动处理器的 128EU 核显性能在 AMD Radeon 780M 和 AMD 下一代核显之间，强于 50W 的 GTX 1650 独显，接近 35W 的 RTX 3050。

据爆料，Meteor Lake 将采用 Xe-LPG 架构核显，台积电 5nm 工艺打造，最高 128EU，频率高达 2.1GHz，计算性能超 4 TFLOPs，支持 DirectX 12 Ultimate 和 XeSS 技术。此外，该系列处理器将拥有全新的 Adamantine L4 缓存，这将给核显性能带来很大的提升。

IT之家汇总 Meteor Lake 此前消息如下：

新一代处理器 Meteor Lake 将在 2023 年下半年推出。Meteor Lake 将采用 Intel 4 工艺和外部工艺，并且首次引入“Tile”设计，集成 CPU、SOC、核显和 IOE 芯片。

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    而Intel这边也很疯狂，目前除了Iris系列之外，Intel的核显其实都是单Die的异构iGPU，这样的选择实际限制了iGPU的规模。而14代的Meteor Lake架构引入了多Die封装，这让更大规模的iGPU成为了可能。事实上，目前透露出的细节来看，Intel应该确实可以做到，未来强大的集成显卡可能不再是AMD一家独大。不过这下真的就是核显打架独显遭殃了，如果真有匹敌3050的核显，那低端独显笔记本的市场空间会更小，也真的挺困难的……

新闻③：三星称其代工技术五年内可超越台积电，存储半导体在AI服务器上将变得更重要

近日，三星半导体在KAIST（韩国科学技术研究院）举办了一场讲座，三星电子设备解决方案业务部门负责人庆桂显介绍了三星半导体追赶竞争对手台积电（TSMC）的愿景。

据Sammobile报道，庆桂显首先承认了三星在代工技术上落后于台积电，4nm工艺技术上落后了约两年，而3nm工艺技术上落后了约一年。不过庆桂显认为三星现在有一项优势，那就是更早地采用GAA架构晶体管技术，缩小了与台积电之间的距离，随着时间的推移，三星可以在五年内超越台积电。

三星在去年6月，宣布其位于韩国的华城工厂开始生产3nm芯片，成为了全球唯一一家采用下一代全新GAA（Gate-All-Around）架构晶体管技术，提供3nm工艺代工服务的代工企业。与三星不同的是，台积电在3nm工艺上仍使用传统的FinFET（鳍式场效应晶体管），要等到2nm工艺才引入新的晶体管技术。

最近有报道称，三星的3nm工艺量产后的良品率已提升至60%到70%之间，吸引了不少客户的关注。庆桂显称，客户对3nm GAA工艺的反应很好，预计推进到2nm工艺时，与台积电之间的竞争态势就会发生改变。

此外，庆桂显表示，存储半导体在开发人工智能服务器方面会变得更加重要，甚至超过英伟达的GPU，三星将“确保以存储器半导体为中心的超级计算机在2028年问世”。

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    昨天我们提到过一件事情，就是台积电的N3工艺进度有些不尽如人意。事实上，更早的业界消息中有提到，在N3、N2工艺节点上三星已经不落后于台积电多少了，三星自己也自信的认为能在未来的五年内反超台积电，成为半导体代工行业龙头。我们也不希望看到一家独大的场面，这样会让芯片价格失去制衡，希望三星能给力一些吧！这几年三星代工翻车的例子可太多了！

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