MOS管的工作原理及常见的封装目录

MOS管的概述

MOS管的性能

MOS管的管脚及常见封装识别

MOS管的导通条件

加强理解MOS管

Question？

致谢

场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的跨导， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道，详情参考右侧图片（P沟道耗尽型MOS管）。而P沟道常见的为低压mos管。

场效应管通过投场效应管通过投影一个个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。---以上摘自：百度百科：https://baike.baidu.com/item/mos%E7%AE%A

由于MOS管的G极电流非常小，因此MOS管有时候又称为绝缘栅场效应管。

MOS管具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好；制造工艺简单、辐射强，因而通常被用于放大电路或开关 电路。

观看下图的N型MOS管图（左），当栅-源电压Vgs=0时，即使加上漏-源电压Vds，总有一个PN结处于反偏状态，漏-源极间没有导电沟道（没有电流流过），所以这时漏极电流ID=0。

若此时在栅-源极间加上正向电压，如下图（左）所示，即Vgs＞0，则栅极和硅衬底之间的SiO2绝缘层中便产生一个栅极指向P型硅衬底的电场，由于氧化物层是绝缘的，栅极所加电压Vgs无法形成电流，氧化物层的两边就形成了一个电容，Vgs等效是对这个电容充电，并形成一个电场，随着Vgs逐渐升高，受栅极正电压的吸引，在这个电容的另一边就聚集大量的电子并形成了一个从漏极到源极的N型导电沟道，当Vgs大于管子的开启电压VT（一般约为 2V）时，N沟道管开始导通，（一般Vgs约等于10V就已经完全导通）形成漏极电流Id，我们把开始形成沟道时的栅-源极电压称为开启电压，一般用VT表示。控制栅极电压Vgs的大小改变了电场的强弱，就可以达到控制漏极电流ID的大小的目的，这也是MOS管用电场来控制电流的一个重要特点，所以也称之为场效应管。（下图的红色箭头就是电流Id的方向，N，P方向相反，注意一下哈，有的时候会搞混！哈哈）

对于P型MOS管（图右）原理相反，当Vgs2V就开始导通，最大电压（一般技术文档会给出值）>Vgs>9V 就完全导通了）            P型MOS管，Vgs