9月9mark的备忘录现在才想起来...不多说了...

本篇记录4个小知识点：

1.PMOS和NMOS的区别

2.PMOS和NMOS的安放位置

3.上/下拉电阻的作用

4.推挽输出和开漏输出

1.PMOS和NMOS的区别（如何判定）

    上图可以看出PMOS的中间箭头的朝向是Gate→Source，而NMOS正好相反。所以只需要记住PMOS就可以了，可以简化为G→是朝外的，可以理解为G(肛) gate放屁（P）是向外的则是PMOS，而NMOS则相反。S级和G级在图标中是直接“连接的”，所以S级也判定了。关于mos管的开关规律正好与中间箭头符号相反：如果 Vgs0 则NMOS开启。（PMOS更积极(Positive)所以S极靠近VCC，NMOS的S极则靠近GND）

2.PMOS和NMOS的安放位置

    对于灯泡这种阻性原件使用PMOS和NMOS都是可以的，但是使用PMOS需要将S极放在靠近5V电源的位置，而NMOS需要S极放在GND的位置。以PMOS为例，如果PMOS放在灯泡下面：S极隔一个灯泡靠经电源。当低电平输入开启PMOS时，由于PMOS导通，此时S极相当于接地，如果要继续保持PMOS导通则输入电压需要低于0V，这是无法做到的，同理NMOS放在灯泡上也会有类似的问题。（记住PMOS更积极，Source要靠近VCC，NMOS的Source要靠近GND）

    但是对于芯片这种需要良好共地的元器件，则必须使用PMOS，这样不仅可以有良好的共地同时PMOS远离VCC不会使芯片有漏电流而导致io口输出异常，如下图所示。

——上述知识点出自工科男孙老师《BV1Mb4y1k7fd》

3.上拉电阻和下拉电阻的作用

    上拉电阻和下拉电阻在许多场景都有应用，但是精髓大致一样，就是使得io口能够保持一个稳定的初始状态。对于上拉电阻可以使得io口保持高电平的状态，下拉电阻可以使得io口保持一个低电平的状态。例如电子器件常用的“按钮”，按钮一端接io口一段接地。当按钮按下，io口检测到低电平的状态则判定为“按下”。对于这种情况则需要将io口设置为上拉输入。如果单片机某些io口不支持设置上拉模式，则需要借一个10K的上拉电阻到3V3。这样io口的初始状态则是高电平即为“没有按下”，不然则会检测按钮为常按。同时在单片机io口使用上拉电阻还可以和单片机内阻并联提高io口的输出电压。还有一个应用场景则是MOS管开关电路。一般NMOS在gate极接一个下拉电阻，PMOS在gate极接一个上拉电阻，如下图所示。

    在MOS管开关电路中使用上/下拉电阻的作用一般有三种。第一个作用即为上图所示：上电时给mos管的gate极一个确定的电平，防止上电瞬间GPIO处输出电平不确定而导致MOS管意外开启。第二个作用是实际工艺制造中MOS管的GS直接会存在寄生电容Cgs，使用上/下拉电阻，断电时能给Cgs一个放电路径。第三个作用是防止静电击穿，起到一个保护的作用。

4.推挽输出和开漏输出

    推挽输出是单片机io常用的输出方式，当input输入低电平时，Q1导通Q2截至，output输出高电平。当input输入高电平时，Q1截至Q2导通，output输出低电平。

    开漏输出分为N型开漏和P型开漏。对于N型开漏：当input输入为高电平时Q1导通，output输出为低电平。当input输入为低电平时Q1截至，output输出高阻状态。因此N型开漏无法输出高电平，但可以外接上拉电阻R1使其可以输出高电平。对于P型开漏：当input输入为高电平时Q1截至，output输出为高阻态。当input输入为低电平时Q1导通，output输出为高电平。

    总结一下推挽和开漏的优缺点。推挽输出优点：1.输出高低电平与电源电压基本没有压差 2.高低电平驱动能力较强，一般io口驱动电流能有20mA 3.电平切换的速度快。缺点：不支持线与（会短路）。开漏输出的优点：1.可以实现电平的转换，因为可以外接上拉电阻，输出高电平取决于上拉电阻的电源 2.可以实现线与。缺点：1.高电平驱动能力取决于外接上拉电阻的阻值，越小能力越强一般为1k，4.7k 2.电平切换速率取决于外部上拉殿宇，电阻越小，速度越快。

——上述知识点部分出自《BV1zL411L7sj》

由于是单纯的知识记录，如果错误请指出~