空穴迁移率约为电子的1/2，所以PMOS具有较低的电流驱动能力

如果W/L保持恒定，则gm随着驱动电压增加而线性增大； 如果W/L保持恒定，则gm随着偏置电流的增加根号增大； 如果ID恒定，gm随着过驱动电压的增大而减小。

体效应就是，源极电压相对于衬底电压发生变化，引起阈值电压的变化。 对于NMOS，默认源极衬底都接地，如果VS>VB,即衬底电压更负，对于NMOS而言，更多空穴会被吸引到衬底上，留下更多的不可移动的负电荷，耗尽层宽度变大，阈值电压变大； 对于PMOS，默认源极漏极都接VDD，如果VsVth，管子工作在强反型区。

1、选择适当的W/L来确定跨导，L的最小值由工艺决定

空穴迁移率比NMOS器件差，在相同的尺寸下，PMOS的电流驱动能力与跨导更低。对于给定的器件尺寸和偏置电流，NMOS晶体管呈现出较高的输出电阻，为放大器提供更理想的电流源和更高增益。 原因：NMOS晶体管的沟道导通电阻要比PMOS小得多，沟道导通电阻的减小有助于降低开关导通损耗，提高器件的导通能力，从而使得NMOS在给定器件尺寸和偏置电流的条件下，能够展现出更高的输出电阻。