MOS管的转移特性曲线、输出特性曲线 |
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MOS管的转移特性曲线、输出特性曲线-KIA MOS管 信息来源:本站 日期:2023-05-06 分享到: MOS管的转移特性曲线、输出特性曲线-KIA MOS管
以某型号器件为例,通过分析其曲线,来分析MOS管的工作特性。 一、转移特性曲线(VGS-ID曲线)
说明的是栅极电压VGS对ID的控制作用。
从上图曲线可得到: 1、测试条件:VDS=20V; 2、VGS的开启电压VGS(th),约5V,且随着温度的升高而降低; 3、VGS需要达到10V以上,才能完全导通,达到其最大标称ID; 4、VGS越大,ID才能越大,温度越高,ID越小;
二、输出特性曲线(VDS-ID曲线)
上图可被分为四部分: 1、夹断区(截止区) 此区域内,VGS未达到VGS(th),MOS管不导通,即ID基本为零;
2、可变电阻区 此区域内,ID-VDS基本维持线性比例关系,斜率即为MOSFET的导通电子Rds(on)。
3、饱和区 此区域内,ID不再随着VDS的增大而增大。说明ID已经饱和了。
4、击穿区 此区域内,因VDS过大,MOSFET被击穿损坏。
当MOSFET工作在开关状态时,随着VGS的通/断,MOSFET是在截止区和可变电阻区来回切换的,在切换过程中可能会经过饱和区。
当MOSFET工作于饱和区时,可以用来通过控制VGS的电压来控制电流ID,将MOSFET用于实现上电软起动电路。
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