由于SSD电路板规格具有行业标准尺寸，因此同样的单元物理空间下，多层单元（MLC）能使容量翻倍，三层单元（TLC）更能使容量变为三倍，基于这种发展，为SSD趋向大容量开辟了道路。在性能、体积的优势基础上，NAND闪存目前发展的方向便是降低每比特存储成本、提高存储容量，因此就有了后来的四层单元（QLC），每个存储单元有4个bits的格式。

但是，也因为每增加一层单元，单位面积容量就越高，但同时导致不同电压状态越多，越难控制，所以导致颗粒稳定性越差，寿命低。到了QLC，其理论寿命与性能都不被人看好，所以QLC技术很早便实现，但迟迟不能推出市场的原因。

不过3D NAND技术的出现，可以说给NAND市场注入了新的技术动力。

简单地说，过去的存储单元都是在平面架构，而3D NAND则是立体架构，如果说过去的NAND是平房，那么3D NAND就是高楼大厦。把存储单元立体化，这意味着每个存储单元的单位面积可以大幅下降，从而大幅提升闪存的存储容量。理论上来讲NAND可以无限堆叠，但是由于技术和材料限制，目前量产中的3D NAND芯片仍然以64层与96层为主，而128层技术已经被成功研发出来，但是仍未实现量产。

3D NAND技术的应用能让过去的内存颗粒容量成倍地增加，从而降低了单位存储成本，同时也让NAND颗粒的擦写次数大大增长——无论是TLC还是QLC都是如此，TLC在满足性能的同时也可以扩大容量和安全性，成为了SSD的主力军，而QLC则更多被应用在入门级的产品吸纳对价格敏感的群体。

3D NAND目前主要是由日美韩几家大公司生产，韩国自然是三星和SK现代，而日本则是铠侠KIOXIA（东芝）、美国则是镁光。以铠侠KIOXIA为例，东芝是闪存技术的发明人，所以很早就投入3D NAND研发了，2007年他们独辟蹊径推出了名为BiCS—Bit Cost Scaling技术的3D NAND，强调的就是随NAND规模而降低成本，号称在所有3D NAND闪存中BiCS技术的闪存核心面积最低。目前来说，除了铠侠KIOXIA自家的品牌，像是浦科特也全系运用了铠侠KIOXIA的BiCS技术的3D NAND芯片。

总而言之，过去被一些消费者所不信任的TLC NAND颗粒，在结合了3D NAND技术后也摇身一变使得速度和寿命都不逊色于过去MLC的性能，加上价格下滑，大家都开始喊着真香了。需要特别提到的是，不同品牌、技术的3D NAND颗粒都会对速度与品质产生影响，大家在选购的时候也需要多留个心眼。目前来说浦科特的M8V采用了行业公认的头部品牌铠侠KIOXIA（东芝）的BiCS 3D NAND颗粒，M9P Plus则为96层3D BICS4颗粒，在品质、速度、稳定性上都有保证。在未来，随着3D NAND技术的不断突破，容量更大更便宜的NAND颗粒将会陆续面世，这样子，购买SSD乃至笔记本，成本也都会不断地减低了。返回搜狐，查看更多